钨钛合金靶材制造工艺

钨钛合金靶材由于具有低的电阻系数、良好的热稳定性能和抗氧化性能，已被成功地应用于Al、Cu与Ag布线的扩散阻挡层，并且在半导体行业和太阳能行业溅射镀膜方面得到了广泛的研究和应用。

随着电子工艺的大规模需求，钨钛合金靶材制造工艺也逐渐成为了广泛研究的热点，通常，制备钨钛合金的流程大致如下：

 1、.将费氏平均粒度为1.0μm～2.8μm的钨粉、费氏平均粒度为40μm～60μm 的钛粉和费氏平均粒度为20μm～60μm的氢化钛粉，按钨粉∶钛粉∶氢化钛粉为 (7.0～9.0)∶(0.5～1.5)∶(0.5～1.5)的质量比置于三维混料器中，在转速 为40r/min～70r/min条件下混合1.0h～1.5h，得到钨钛合金粉末；

2、将钨钛合金粉末置于真空热压烧结模具内，用不锈钢板压实粉末，让其充分填充模具；

3、.把填充好钨钛合金粉末的模具放入真空热压烧结炉内，并及时抽真空；

4、然后，升温至500～1000℃并加压至280吨，待加压完成后再升温至1400 ℃～1430℃，保温0.5～1.5小时；

5、然后，调节真空热压炉功率为“0”，随炉冷却至室温后方可出炉，得到钨钛合金靶的真空热压烧结毛坯；

6、将经切割后的真空热压烧结毛坯置于真空退火炉内，升温至800℃～ 1000℃，退火0.5h～1.5h，得到退火后的真空热压烧结钨钛合金靶；

7、.将退火后的真空热压烧结钨钛合金靶放入超声波清洗槽内，加适量的洗涤剂及纯净水，清洗1～2小时后，得到符合要求的钨钛合金靶。

采用上述钨钛合金靶材的制备方法，具有粉末混合均匀，制备过程中不易氧化，杂质含量低，制备出的钨钛合金靶密度高的特点，可以满足现代微电子工业的需求。

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