炭化ケイ素（Silicon Carbide、化学式SiC）は、炭素（C）とケイ素（Si）の1:1 の化合物で、天然では、隕石中にわずかに存在が確認される。鉱物学上「モアッサン石」と呼ばれ、また、19世紀末に工業化した会社の商品名から「カーボランダム」と呼ばれることもある。

ダイヤモンドの弟分、あるいはダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、硬度、耐熱性、化学的安定性に優れることから、研磨材、耐火物、発熱体などに使われ、また半導体でもあることから、電子素子の素材にもなる。

結晶の光沢を持つ、黒色あるいは緑色の粉粒体として、市場に出る。

1 . 工業的製造法

ここでいう「工業的」とは、一度に10トンの単位で作られ、製品が最高純度ではないというような意味の、19世紀末以来の方法である。

電極に電圧をかけると、黒鉛粉が発熱して周囲の原料を加熱する。1500℃を越えると微細な3Cが生成しはじめ、昇温とともに3Cは消え4H、6H、15Rなどが発達するが、この環境では、2200℃以上でそれらは分解して黒鉛の粉を残す。反応は SiO2+3C→SiC+2CO でまとめられる。

電圧を切ったあとの横方向の断面が図2の右である。同心円の中心部の黒鉛粉はSiCが分解した分だけ太り、その外側に（斜線を付けた）SiCの塊が チクワ状に生成する。その外側は温度が1500℃くらいにしか上がらなかった3Cの薄い層、その又外側は反応しなかった原料で、未反応物は次の操炉の原料 に混ぜる。 SiCの塊は、中心から外側へ放射状に発達した結晶粒の集まりで、通気性に富む。

炉に原料や黒鉛粉を積む → 通電する → 停めて冷す → SiC塊を取出すの各工程の長さは、数日ずつである。

この炭化ケイ素の製造には多量の電力が必要で、安価な電力が得られる立地で行われる。

製品の塊から不純物を除き、粉砕し、さらに不純物を除き、粒度ごとに篩い分け、製品にする。

2 . 用途

研磨材、耐火煉瓦の原料、鋳鉄への加炭化ケイ素剤、高級釣り竿（リール竿）のガイド（釣り糸を通す輪）、登山鉄道車両の非常ブレーキ用シューなどに大量に使われる。鋳鉄用は低純度品である。

電気素子の素材としては、発熱体、アレスタ、バリスタなどに長く使われてきた。シリコンに比べてバンドギャップが大きい事から、高温、高線量下で利用できる半導体材料として注目され、1980年代以降の結晶成長技術の発展にともない、青色発光ダイオード、高速ショットキーバリアダイオード、MOSFET（電界効果トランジスタ）、などに使われるようになった。熱伝導率が高いので、他の半導体の基板としても重宝がられている。

ファインセラミックス、エンジニアリングセラミックスとしての用途も、開けている。金型プレス成形、静水圧成形、射出成形、スリップキャスト成形、押出成形、などの成型法、反応焼結、常圧焼結、加圧焼結、再焼結などの焼結法が行われている。

近年、ディーゼル車の排出する煤塵の集塵用フィルター（DPF）材料としての用途が急拡大されている。

また、大粒のものを装飾用宝石として用いる、果ては「モアッサナイトダイヤモンド」と称してダイヤモンドの一種であるかのように扱い、高額で売却する悪質な例もある。

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タングステン合金の特徴

1. 高比重18.0g/cm3
2. 剛性がある。
3. 磁性品と非磁製品がある。
4. 耐酸性がある。
5. 耐熱性がある。（400℃まで酸化しません。）
6. 低熱膨張（5.5Ｘ10-6/℃）
7. 高熱伝導率（85W/ｍ・K）
8. 放射線の遮蔽。
9. Ｘ線とγ線の吸収。

タングステン合金の製造方法

1. 各種金属パウダーを均一に混ぜる。
   タングステンを主成分にNiFe,NiCuをバインダーにする。
2. プレス成形
3. 焼結
4. 素材完成

タングステン合金使用例

사무실 건물 단열 필름을 준비하기위한 나노 세슘 텅스텐 브론즈는 혼합 원자가 상태 육각형 텅스텐 브론즈 재료의 한 유형으로, 용액에 의해 성공적으로 합성되었으며 우수한 근적외선 (NIR) 차폐 특성을 가지고 있습니다. 유사하게, 혼합 원자가 상태 산화 텅스텐 이산화물 (자외 산화 텅스텐, W18O49)은 또한 우수한 NIR 차폐 특성을 가지며, 차폐 특성의 개선은 입자 크기를 감소시킴으로써 성공적으로 실현 될 수있다.

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