三氧化鎢薄膜光電極的製備

不同C含量的WO3-FTO樣品在硝酸鉀中的掃描曲綫三氧化鎢(w03)是一種n型間接帶隙半導體材料,因其禁帶寬度比較窄、空穴所在的價帶電位比較高(+3.10-3.20 V VS.NHE),是一種非常具有應用前景的氧化物半導體光催化制。w03薄膜除了可以作為光催化劑外,還可以作為光電極在外加電壓作用下,進行光與電的協同催化一一光電催化。WO3自身存在一些缺點如禁帶寬度相對較窄,使其在實際中的應用受到限制。為了克服或者降低WO3本身的缺陷,需要對W03進行修飾。分別採用添加Ni(OH)2催化劑,製備FTO/W03/BiV04複合膜和對W03薄膜的表面形貌進行改善的方法對W03薄膜進行改性,並進行光電化學研究,可得到一些初步的結果。

(1)通過簡單的溶膠凝膠一浸漬法,經過高溫退火後製備出FTO/W03/Ni(OH)2三氧化鎢薄膜光電極。產物經XRD, SEM, DRS, Raman, CV等方法表徵。通過該實驗,發現不修飾Ni(OH)2的裸露三氧化鎢電極幾乎沒有光電催化葡萄糖的效果;在三氧化鎢薄膜的表面修氫氧化亞鎳能夠增強三氧化鎢薄膜的光電效應。

(2)採用了比較簡便的溶膠一凝膠法方法:滴塗一鍛燒一滴塗一鍛燒的方法合成了FTO/W03/BiV04複合膜。通過XRD, DRS, SEM和拉曼的表徵方法,對複合膜和純WO3和純BiV04薄膜進行了比較,進而也對這三種光電極的光電化學性質進行了比較。發現FTO/W03/ BiV04複合膜電極在光解水反應中電流最大。

(3)使用一種簡單的硬範本法一步制得了多孔三氧化鎢光電極用於光解水的實驗。通過XRD, DRS, SEM,拉曼和電化學性質的測試我們得出當硬膜板介空碳的百分含量為10%時,我們制得的三氧化鎢薄膜光電極具有較好的光電化學性質。

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