氧化鎢阻變記憶體

氧化鎢阻變記憶體是利用氧化鎢材料在電場作用下電阻值發生可逆轉變達到存儲目的的半導體元件。

現有氧化鎢阻變記憶體的製備方法包括步驟：形成一絕緣介質層；將位於通孔的頂部的部分鎢氧化形成氧化鎢阻變存儲單元，鎢氧化後會變厚，使得形成的氧化鎢阻變存儲單元的頂部高於絕緣介質層表面，最後在絕緣介質層和氧化鎢阻變存儲單元上形成頂層金屬層。

只是，頂層金屬層會覆蓋氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面和側面形成相接觸，頂層金屬層會和鈦氮化合物阻擋層接觸，通過鈦氮化合物阻擋層的導電作用，最後會在頂層金屬層和位於氧化鎢阻變存儲單元底部的鎢以及鎢底部的金屬層之間形成漏電通路。漏電通路和氧化鎢阻變存儲單元的通路形成一並聯結構，最後會對存儲單元的讀寫操作造成干擾，會降低氧化鎢阻變記憶體的擦寫操作視窗及可靠度。

為了能消除頂層金屬層和氧化鎢阻變存儲單元的底部的金屬層間的漏電通路，從而能提高氧化鎢阻變記憶體的擦寫操作視窗及可靠度，有企業採用以下方案：

步驟一、採用澱積工藝在氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面和側面形成氮矽化合物犧牲層。

步驟二、對氮矽化合物犧牲層進行回蝕刻處理，將位於氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面的氮矽化合物犧牲層去除，在氧化鎢阻變存儲單元的側面形成由氮矽化合物犧牲層組成的側壁阻擋層。

步驟三、形成頂層金屬層，頂層金屬層和氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面接觸；側壁阻擋層將頂層金屬層和位於氧化鎢阻變存儲單元底部的金屬層隔離。

通過在氧化鎢阻變存儲單元的側面形成側壁阻擋層，能使頂層金屬層和位於氧化鎢阻變存儲單元底部的金屬層隔離，從而能消除頂層金屬層和氧化鎢阻變存儲單元的底部的金屬層間的漏電通路，最終能提高氧化鎢阻變記憶體的擦寫操作視窗及可靠度。

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