早年制取钨粉的经典方法是以氢气为还原剂将三氧化钨粉末还原成金属钨粉，这个方法具有易控制纯度高的钨粉和钨粉粒度等的特点，过去在世界上获得广泛采用，如今渐被蓝钨氢还原所取代。

钨氧化物各还原反应均为吸热反应，温度升高对还原反应有利。低价氧化钨比高价氧化钨更具有较高的稳定性，因此，工业上采用的两段还原法中的第二次还原温度必须高于第一次还原温度。在钨和氧系中，存在三氧化钨WO3、氧化钨WO 2.9 、氧化钨WO 2.72，氧化钨WO 2等钨氧化物。由三氧化钨制取钨粉的总反应通常是逐级进行的，即WO3(黄)、WO 2.90 (蓝) 、WO 2.72 (紫)、WO2(褐)、W(灰)。

三氧化钨氢还原法又称为黄钨工艺，工业生产中，最受欢迎的是连续逆氢还原方式。一般采用两段还原法来制取中等或中偏细颗粒且粒度较为均匀的钨粉，即第一次由WO3制取WO2，第二次由WO2制取W 。在制取粗颗粒金属钨粉时，则采用一段还原法，即WO3 制取W 。

细钨粉工艺的确定原则：
(1)采用较低的还原温度；
(2)沿炉管有较平稳的温度梯度；
(3)较缓慢的推舟速度；
(4)较小的装舟量或较薄的料层；
(5)较大的氢气流量和较小的氢气湿度；
(6)用颗粒较细的WO3 原料。

粗钨粉工艺的确定原则：
(1)采用高的还原温度；
(2)沿炉管有较大的温度梯度；
(3)较快的推舟速度；
(4)较大的装舟量或较厚的装料层；
(5)较小的氢气流量和较大的氢气湿度。

三氧化钨氢还原生产的钨粉主要有供硬质合金用钨粉和供钨材加工用的钨粉，这两类钨粉的生产工艺制度也是不同的。

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涂层硬质合金在原有的化学气相沉积法（CVD）以及物理气相沉积法（PVD）的基础上加以改进，发展出了一些新的涂层技术。

5.等离子体化学气相沉积法（Plasma Chemical Vapor Deposition， PCVD）

等离子体化学气相沉积法（Plasma Chemical Vapor Deposition， PCVD）是通过利用等离子体中的带电粒子的动能去激发气相化学反应的。其基本原理就是在金属基材表面上沉积一层氮化钛（TiN）、碳氮化钛（TiCN）、氮铝化钛（TiAlN）、氮硅化钛（TiSiN）等具有高硬度和高耐磨性的硬质膜或超硬膜。PCVD法克服了传统化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）沉积温度高的缺点，可使得沉积温度降至500-600℃，并在一定程度上减少了成膜的方向性，且涂层较为均匀。如今最新的PACVD法涂覆温度已可降至180-200℃，且焊接性能良好，焊接部位不受任何影响，所以其较为适合于涂覆在焊接用硬质合金刀具以及模具的表面硬化处理。有实验数据表明采用PCVD法涂层的硬质合金钻头与普通的高速钢钻头相比，加工钢材时其工作效率得到了明显的提升，各项综合性能（耐磨性以及耐腐蚀性）大幅度得到提高，且使用寿命延长了近十倍。

6.真空阴极电弧沉积法（Vacuum Cathodic Arc Deposition， VCAD）

真空阴极电弧沉积法（Vacuum Cathodic Arc Deposition， VCAD）是通过利用阴极电弧将靶材蒸发离解，并在负偏压作用下沉积的方法，其具有沉积温度低、沉积速率快、沉积覆盖面积大、离子能量高、离化率高、膜层与基材结合力好、操作方便、设备简单等优点，可广泛运用于一些超硬氮化钛（TiN）、碳化钛（TiC）膜层的沉积。有实验研究在原真空阴极电弧沉积超硬TiN薄膜优化工艺的基础上，用钛铝合金靶材代替钛靶材沉积性能更为优异的（Ti，Al）N薄膜，这对推动（Ti，Al）N薄膜工业化生产有着重要的研究意义。此外，VCAD法除了应用在一些高质量的金属薄膜外，还可适用于Ta-C、光学薄膜、透明导电氧化物薄膜、氮化物多层膜、纳米复合膜、MAX相等多种膜层的沉积。

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