仿真和氮化镓晶圆弯曲的蓝宝石衬底上分析

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2014年5月14日星期三 16:22; 点击数：3879

在异质外延生长的过程中，如果生长膜的晶格常数不同于基板，晶片表面弓，无论的晶格失配是否发生。如在大型晶片的生长加快，弯曲效应变得越来越重要。晶圆弯曲对产量在现代大规模生产化合物半导体产业有直接影响。通过使用有限元分析软件，在氮化镓晶片的蓝宝石衬底上的弯曲变形进行研究。结果表明，外延晶片弯曲具有与衬底的直径的平方成线性关系，但与该基板的厚度的关系不大。此外，晶圆弯曲的关系方程终于也被简化。

在MOCVD生长过程可分为四个阶段：反应物输入阶段，反应物的混合阶段，在所述衬底上方立即边界层相，并在基板表面本身的增长阶段。生长的并发症，可以发生在这些阶段包括在反应物的混合气相反应，反应物的扩散和/或热解的基片之上的边界层中，并从所述衬底的物种的热力学或动力学抑制。最恶劣的影响可以通过提供适当的设备设计和工艺条件来降低或消除。

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