蓝宝石衬底的影响进程的LED发光效率

最近，氮化镓基蓝光和近紫外光LED被广泛的研究在新兴的固态照明产业的关键技术。光提取效率（LEE）是在制造高亮度的非常重要的因素，高效率的氮化镓基发光二极管（LED） 。如众所周知的，在氮化镓之间的折射率的差大（ 2.40 ）和空气引起的狭窄的逃逸锥在氮化镓晶体的光。一个最常用的方法是在接口，如最近的图案化蓝宝石衬底（PSS）和PSS LED的效率增加粗糙度或纹理被认为是光散射的PSS的结果。黄等开发了侧壁成形和截短的倒金字塔（ TIP）的成形技术来增加氮化镓LED的外量子效率（EQE ） 。

倒装芯片技术也广泛研究，因为在热传导以其优异的性能和EQE这些年来。但在后端进程蓝宝石衬底工艺的影响是很少考虑的。在这项工作中，氮化镓系LED的提取效率和蓝宝石基板的几个参数之间的关系进行了研究，包括厚度，粗糙度和包装方法。首先，蓝宝石基片的后端工序的厚度进行了研究。选择一个更好的蓝宝石厚度后，我们只使用一个研磨过程和底面周期性图案通过干法蚀刻技术，以提高外部量子效率开发的粗糙度的方法。在蓝宝石衬底上的底表面的不同表面结构进行了分析上的几何射线跟踪模拟计算，并与实验结果进行比较。


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