潜在的蓝宝石基板中断

可以肯定的是HB-LED制造最终将移动到大口径蓝宝石基板，现在的问题是如何快速将什么材料用于在基片？

正如开始时说，采用大口径，目前低，预计需要数年时间才能完成。然而，在替代物，以传统的蓝宝石的进步可能会加速这个收养或开拓利基渠道，一些公司。但首先，我们将专注于蓝宝石。

我们注意到主要挑战是低材料利用率由于a轴生长和缺陷，使较大的晶片价格昂贵的高水准。有可以直接在c轴成长为低得多的废物替代生长技术。此外，生长技术，避免显著的缺陷也可提供。

蓝宝石生长与c轴生长（也称为轴上成长为LED应用）和低缺陷水平的这些特点非常适用于大口径应用进行了优化。描绘了c轴CHES技术，低材料利用率和高缺陷水平的问题都解决了一次，用近净成形坯体的额外好处。其结果是在75％以上的利用率为6-和8-中的应用程序。

另外，经线的外延过程中，我们从a轴生长的蓝宝石看见的问题将减少，因为在c轴CHES晶片生长与在其表面上的单个签名的时间。由于这些优点，因此预计，随着越来越多的制造商移动到大直径的应用中，生长技术也将过渡到c轴，低缺陷水平的增长。

被替代衬底为蓝宝石，如硅，碳化硅和氮化镓（GaN）也正在研究中。也有少数LED厂商甚至在生产上的每个基板，尚不能作为一个具有成本效益的替代蓝宝石。在蓝宝石每种方案都有一定的优势，但需要多个突破，为他们中的一个显著取代蓝宝石。替代基板，目前的预测给硅成功的最佳机会。

因为LED具有如此广泛的潜在市场，会有随着蓝宝石其余主要余地这些替代衬底。例如，利用氮化镓衬底带来的是每个芯片的性能更高 - 虽然在非常高的成本。该基板可能会发现其中一个明亮的LED芯片是希望或要求一个利基。
下一个直径近6中是8英寸氮化镓晶圆。这些晶圆给另一个显着收益的LED芯片数量和更多机会提高产量。然而，我们在前面研究的障碍是一样的，加上蓝宝石基板成本增加一倍以上6中使用-轴生长的方法。因此，预测是这些替代的技术（蓝宝石上生长c轴，硅或其它衬底） 1将成为主导为8英寸硅片和超越。


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