操作过程中通过蓝宝石衬底的红宝石ř线现场温度测量基于氮化铟镓发光二极管

包封的绿色和紫外光操作发光二极管（LED ）的温度已经通过由剩余Cr3 +的污染物在蓝宝石基板所发出的红宝石Ř行光学测定。这两个光致发光Ř线，这是由LED的发光本身激发时，显示出良好的特点线位移作为温度和压力的函数。的温度被发现与该LED的施加正向电流为≈1 K /毫安的速率线性增加。此基础上监测2红宝石Ř线的光学温度测量可以有资格作为原位温度传感器，用于其他蓝宝石衬底基半导体设备，例如激光二极管和场效应晶体管的敏感方法。

铟镓氮化物（铟镓- XN ）单量子阱（SQW ）发光二极管（LED ） 通过在蓝宝石金属有机物化学气相沉积生长，被转移到硅衬底。薄膜的InxGa1 - XN SQW LED用瞬态液相钯在晶片键合过程随后通过激光剥离法来移除蓝宝石生长衬底结构进行了第一键合到的n + -硅衬底。个体250×250平方微米，发光二极管通过在n + -Si基片的背面接触，然后制成。这些LED以5.4具有典型导通电压为2.5 V和100mA的正向电流五，为的InxGa1 - XN SQW LED的室温发射峰中心在455纳米的半高19全宽纳米。


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