蓝宝石衬底缩增长方式Ⅲ族氮化物发光二极体的有机金属气相外延

 
 

氮化镓上进行的蓝宝石衬底金属有机气相外延( MOVPE )生长,发光二极管(LED)的特性上生长图案化蓝宝石蓝宝石衬底和平面衬底的设备进行了比较。该蓝宝石基板是由一种新的方法(急切),据此,铝通过两阶段退火过程中被外延地转化为结晶氧化铝制成。生长在蓝宝石衬底上的氮化镓模板是通过一个缩写生长模式,其中使用了一个15纳米厚的低温氮化镓缓冲层完成,而不外延过程中使用回蚀和恢复过程。

InGaN量子阱(量子阱)的LED生长在蓝宝石氮化镓模板上,采用缩写的增长模式。生长图案化急切蓝宝石衬底上的优化的InGaN量子阱发光二极管表现出在输出功率的24 %的改进相比,在氮化镓 LED的使用常规方法模板生长。在LED的输出功率的增加是由于LED的改进的内部量子效率。


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