氮化铝对氮化蓝宝石同质外延生长以镓-铝二元液液相外延法

利用不断增长的在常压下镓铝二进制流氮化铝层的新型液相外延法。在该方法中，将氮气注入通量。然后氮化的蓝宝石基片用作模板，以实现同质外延生长。使用氮化的蓝宝石基片的优点进行了论证;最佳焊剂组合物进行了研究。我们增长了1μm厚的c轴择优取向AlN层5小时，在1573 K的全宽的X射线摇摆曲线半氮化铝的最大值和分别为50和590弧秒。另外，表面形态和界面结构用扫描电子显微镜，激光显微镜，和高分辨率透射型电子显微镜进行观察。

通过应用常规外延晶体生长技术，这VLS过程中，也能够获得纳米线的生长过程中的精确定位控制。这项技术，气 - 液 - 固外延（VLSE），特别是在强大的高品质的纳米线阵列和单丝devices13的可控合成。例如，氧化锌更倾向于沿着方向生长，并容易形成高度取向的阵列时，外延生长的a面蓝宝石衬底上。可以实现对GaN10和硅/锗系统的生长控制的水平相近。因此能够使用该VLSE技术为纳米线阵列的生长与严格控制尺寸（直径<20纳米）和均匀性（<±10％）。此外，我们已经探索了不同类型的纳米线异质结构，包括coaxial15和纵向variations16。半导体异质结构使电子和空穴的限制，光导，并且两个子输运和载流子迁移率的调制。这个尺寸单分散性和异质结构的控制是至关重要的许多建议应用这些纳米线阵列，包括发光和场效应晶体管。


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