在大尺寸蓝宝石的SAPMAC晶体生长过程的模拟分析

SAPMAC （用在冷却中心微拉和肩部蓝宝石生长技术）过程由几个不同的晶体生长阶段的数值模拟方法特性研究进行了分析，并与提拉法，温梯法和坩埚下降法技术相比在模拟与不同的晶体生长阶段的技术的结果，晶体生长的系统和控制技术进行了改进；常规SAPMAC炉与散热参数增加了修改，将加热温度降低，温度下降曲线的提高，另外的轴向和径向温度梯度调整，所以断面收缩，肩部延伸，异直径和拖尾的晶体生长过程中可以controlled.The实验结果证实，所生长的晶体具有更好的质量和更大的尺寸通过改进的系统晶体生长和控制技术。

这里呈现的研究的目的在于应用一种感应加热提拉炉的全局分析的实际蓝宝石晶体生长系统和预测系统中的温度和流场的特征。要做到这一点，对于在蓝宝石生长过程的开始阶段，熔体和气体对流的结合对系统的温度场辐射传热和晶体熔融界面的影响已经数值使用稳态二维有限被研究元素法。对于辐射热传递，通过所生长的晶体和表面对表面辐射的暴露表面的内部辐射已被考虑到。计算结果表明，有一个强大的旋涡出现从熔体和向上流动沿后热侧壁和沿向下的气体部分种子和晶面强烈的和大旋涡的自然对流。另外，波浪形已经观察到与朝向熔体偏转的晶体熔融接口。


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