三组氮化物基化合物半导体激光二极管的具体实施

蓝宝石衬底上形成的半导体激光元件层的步骤现在将参考描述的是一个截面AA是部分BB。换句话说，方向被切断，以产生AA截面垂直于该方向上被切断，导致产生部分BB。

在蓝宝石基板冷却到约600℃，三甲基铝（TMA）和氨的温度下（NH3）被供给到形成的氮化铝层18具有约50纳米的蓝宝石基板上具有均匀的厚度。随后，TMA仅停止供给，蓝宝石衬底温度升高到1040℃，然后通过TMA的供给，使三甲基镓（TMG）和硅烷（SiH4）为具有硅掺杂的n型GaAlN层13形成氮化铝层上（n-层）。


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