蓝宝石衬底上的III族氮化物基化合物半导体层

一种激光二极管制成的，其包括蓝宝石衬底上的III族氮化物基化合物半导体层;形成在III族氮化物基化合物半导体多层结构，其中所述基板，所述具有双异 质结结构与设置之间的有源层的多个层结构层具有比有源层，从而使多层结构的III族氮化物组合物是由通式（的Al x Ga-x），其中0≤X≤1和0≤Y≤1 Y输入1-Y N所定义的较大的带隙;其特征在于，所述蓝宝石基板具有对应面对的基板和其功能是作为用于晶体生长的主平面的平面取向说，所述多层结构上形成的所述主面的 蓝宝石基板可直接或在一个中间存在所述缓冲层和反射镜表面被切割形成所述多层结构和所述平行于对应于所述蓝宝石衬底的c轴方向的方向的蓝宝石衬底。

改进的激光二极管是由氮化镓基化合物半导体的（（的Al x Ga-X）yIn1-YN; 0 </ = X </ = 1; 0 </ = Y </ = 1），具有双异质结结构具有具有较大的带隙层之间保持活性层，激光二极管包括通过切割形成的反射镜表面，多层涂层和所述指示蓝宝石衬底平行于（c轴方向）的蓝宝石衬底。另外，在改进的方法中，只有中间氧化锌（ZnO）层是通过湿法蚀刻用的ZnO选择性液体蚀刻剂除去，从而形成在蓝宝石衬底和最底下的子层，所述半导体激光元件层之间的间隙;与所述半导体激光器元件层被切割用的辅助所述间隙20，以切割被用作激光谐振腔的反射镜表面所得到的平面。


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