在蓝宝石上排列的氧化锌纳米线阵列和GaN层的图案增长

关于蓝宝石和GaN外延层的微米和纳米尺度垂直排列的氧化锌纳米线阵列的图案化生长报告,为了控制氧化锌纳米线的铱坩埚位置和分布密度,金种子纳米点的定义,为规则排列,与沉积荫罩的协助。电子显微照片表明,该导线是具有丝轴沿六边形的c-轴的单晶。在蓝宝石和GaN薄膜在Si衬底上的ZnO纳米线的外延生长由横截面电子显微镜研究进一步验证。相比于蓝宝石的情况下,在Si衬底上的GaN膜的完美外延生长被认为是更适合于氧化锌纳米线阵列的电势的电子装置的应用程序。

射频炉设备和控制设备,适合用于生长单晶的耐火氧化物,如氧化铝,通过Czochralski技术进行说明,并用此设备生长的蓝宝石球剁例子示。氧化钍采用在整个炉。氧化钍有较低的热容量和较高的电阻率在该工作温度比任何其他难熔氧化物。这使铱坩埚基座在温度接近其熔点时使用。


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