向一种磁阻性材料施加一个磁场，其电阻就会发生变化，这是一个在技术上有用的现象，比如说在硬盘的数据阅读传感器中就得到了利用。Mazhar Ali及同事现在识别出一种材料（二碲化钨），在其中，磁阻效应异常大：电阻可以被改变百分之1300万以上。其显著的磁阻在非常高的磁场中和极低的温度下才会显示出来，所以实际应用目前尚没有可能。但这一发现却为关于磁阻性的研究提出了新方向，它们最终可能会导致这一效应的新用途的出现。

 

二碲化钨（wte2）是具有层状结构的过渡族金属硫族化合物，在其正交晶胞中钨链沿着碲层的a轴方向呈一维分布，是一种非磁性的半金属材料。wte2以其良好的热电性能早已为人们所认知，普林斯顿大学教授cava研究组在2014年意外地发现wte2在常压下具有不饱和的大磁阻（lmr）特性，即在磁场下这种材料表现出异常大的正电阻效应，而且在非常高的磁场下也不饱和。这种特性不仅为其在电子器件方面的应用提供了潜在的可能，同时也为大磁阻材料的研究开辟了新的方向。在半金属中，非常高的磁阻是由于空穴-电子间的“共振”所产生的，而wte2是第一种人们发现的具有这种完美共振的材料。