半导体气敏薄膜材料：WO3薄膜

作为半导体气敏薄膜材料，WO3薄膜对NOx、H2S、H2、CH4、C2H5OH、CO、NH3等气体都有良好的敏感性，因而具有广阔而良好的应用前景。也因此，WO3薄膜的制备显得很重要。以下介绍一种WO3薄膜的制备方法。

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一种WO3薄膜的制备方法

采用提拉涂覆法，以4.6-4.8cm/min的恒定速度将Al2O3基片从WO3溶胶中提拉出来，在基片表面上形成一层溶胶膜。将所得溶胶膜在红外灯下干燥10min后，以10-15℃/min的速度升温至600℃进行预处理，保温20min，使薄膜牢固地附着在基片表面。将预处理后的薄膜用去离子水清洗表面并干燥后，重复提拉涂覆和预处理过程。最后在650℃对薄膜进行烧成，保温30min，制得一定厚度的WO3薄膜。所得WO3薄膜用作半导体气敏薄膜材料具有商业化应用前景。

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