四硼化钨因具有高熔点、高硬度、高电导率、优良的耐磨性以及对不同类型介质的高耐腐蚀性和抗氧化性等特点，在高温结构材料、耐火材料、电极材料等领域有广阔的应用前景，尤其是它的超硬特性，使其成为一种重要的候选超硬材料。

在军事、空间技术，电子加速器及自由电子激光等技术领域中，对低温、大电 流密度、高均匀发射和长寿命的电子发射体的需求始终十分迫切。真空电子管阴极发射性能、工艺稳定性和可靠性也对成本昂贵的电子器件的研制与生产十分重要。

伴随着电台广播、通信、雷达、导弹等军事和空间领域以及工业高频感应加热设备的高速发展，电子管在发射功率几十千瓦到几百千瓦、甚至上兆瓦的大功率电子设备中是作为能够满足其高性能、高效率要求的首选器件。阴极材料是电子管的心脏部件,其性能直接决定着电子管的使用性能，包括显象管和显示管在内的真空显示器件向大屏幕和高清晰度发展,对应用于其中的电子发射体的发射电流密度和寿命的要求越来越高。

在基片温度为800 ℃，保温时间为15分钟时所生长的氧化钨纳米花结构体的XRD谱图。XRD谱图中23.5°的衍射峰对应于单斜γ相氧化钨结构面，而41°、58°、74°的衍射峰则对应于立方晶系的钨单质。其中晶向为面的衍射峰较强，因而氧化钨在晶向面上的结晶度较高，晶格常数为0.3728 nm。