大规模集成电路经常使用钨靶材进行真空溅镀，尤其需要使用大尺寸的钨靶材，目前的半导体领域中，大尺寸的钨靶材的直径为300mm～450mm，厚度为6mm～15mm。可是随着半导体行业的发展，需要更大尺寸的钨靶材。

氧化钨压敏陶瓷是指电阻值随着外加电压变化有显著非线性变化的半导体陶瓷。其具有非线性伏安特性，在某一临界电压下，压敏电阻陶瓷的电阻值非常高，几乎没有电流，但当超过这一临界电压时，电阻将急剧变化，并有电流通过，随电压的少许增加，电流会很快增大。

仲钨酸铵是制备钨制品的重要原料。目前工业上生产钨粉的工艺主要是先将仲钨酸铵煅烧成蓝钨，然后在氢气中进行还原制备钨粉。这种方法制的钨粉粒度大多在2～4μm之间，已成为在军工和医疗器械等领域制备钨合金的主要原料。

为了进一步阐明氢化的效果和确定氧化钨的表面化学状态，我们对氧化钨进行了X-射线光电子能谱分析。如图所示是三种氧化钨样品的XPS全谱图、W-4f谱图和O-1s谱图。从图中可以看出，三种氧化钨样品中含有W元素，O元素和少量的C元素。其中C-1s峰的存在归因于来自XPS仪器本身的非自然碳氢化合物。并且从全谱图来看，三种样品各峰无明显变化。