氧化钨陶瓷材料中发生的每一种传质现象和反应过程均与氧化钨晶格中的各种缺陷相关，而且传质系数或反应速率常数直接与原子缺陷的种类和浓度有关，固相中的原子缺陷越多，其相应的传质能力就越大。

高的氧分压能够抑制氧化钨陶瓷的氧空位的形成，从而影响其传质速率。然而，在氧气气氛中烧结的氧化钨陶瓷拥有相对较高的致密度。氧离子的半径为0.14nm，比六价钨离子的半径要大很多。

氧化钨陶瓷的老化过程能够反映其抗老化的能力，其抗老化能力主要通过氧化钨陶瓷的漏电流数值来测定。

钨铜复合材料具有良好的导电导热性、低的热膨胀系数而被广泛地用作电接触材料、电子封装和热沉材料。采用纳米粉末制备的纳米钨铜复合材料具有非常优越的物理力学性能。