氧化钨陶瓷掺杂七氧化四铽
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- 发布于 2018年3月15日 星期四 10:28
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图为不同浓度七氧化四铽掺杂烧结的氧化钨陶瓷样品的SEM图。可以看到掺杂七氧化四铽能够使得陶瓷的晶粒尺寸明显增大,晶粒间的空隙明显减少,说明掺杂七氧化四铽有助于氧化钨陶瓷的烧结。
氧化钨陶瓷烧结过程各因素的影响
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- 发布于 2018年3月15日 星期四 09:44
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真空、氮气气氛等缺氧气氛烧结使陶瓷中产生大量氧空位,但是由于氧原子缺失,晶面间距增大,使氧化钨的XRD衍射峰对应角度向小角度移动。这可能是氧化钨陶瓷在室温下为两相共存或多相共存的原因。另外,缺失的氧原子得不到补充,使得晶粒生长和致密化受到抑制。缺氧气氛烧结的氧化钨电导率较高,导电行为符合欧姆定律。