非多孔氧化钨薄膜的制备采用甩胶法。根据前驱体溶胶的性质通过匀胶转速，在一定的时间内进行重复匀胶次数。制备获得非多孔氧化钨薄膜。

首先，采用四氯化钨和无水乙醇反应获得氧化钨薄膜所用的涂膜液，在N2的环境下搅拌，加入一定量的冰醋酸，搅拌约4h，冷却获得氧化钨凝胶膜。将获得的氧化钨凝胶膜在室温的环境下静置数小时，待溶剂部分挥发后，随之进行热处理，温度设定在450℃以上，时间为1h，接着采用甩胶法进行再加工，在制备的过程中，匀胶速度一般设定为1600-5000r/min之间，匀胶时间为20-60s，重复甩胶次数1-30次，从而制备获得非多孔氧化钨薄膜。
 

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氧化钨是一种外观呈黄色的斜方晶体，加热时颜色变深，密度7.16，熔点1473℃。不溶于水和酸（除氢氟酸），能缓慢地溶于浓碱溶液。氧化钨具有气体敏感性，用于检测二氧化氮，氨气等有毒气体的检测。已经制备了氧化钨薄膜气敏传感器和氧化钨的纳米颗粒传感器，纳米传感器的发现大大的提高了对于低浓度有毒气体的检测。氧化钨基气敏材料的研究最早见于报道1967年。当时是通过采用真空蒸发技术获得钨薄膜后，经600-700℃加热氧化，制得氧化钨薄膜。随后用喷涂少量Pt的方法来增强氧化钨对氢气及含氢气体（如：N2H4、NH3、H2S等）的气体灵敏度。

当氧化钨半导体暴露于空气中时，会吸附空气中的氧气，在一定温度下，氧气会从半导体导带中夺取电子形成化学吸附态的氧气，从而使得氧化钨半导体的电阻更大。当氧化钨半导体与其他被测气体接触时，被测气体也会以不用的途径与氧化钨交换电子，从而达到降低氧化钨电阻实现灵敏检测的目的。
 

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氧化钨的应用十分广泛，该材料的应用也集中在高密度和超高密度的存储材料方面。氧化钨作为一种过渡金属氧化物，具有很强的拉曼散射能力，可用谐振腔探测器来探测这种拉曼位移信号。由于谐振腔探测器的线很窄，若在基片上制备出含有多种过渡金属氧化物的混合膜，则用谐振腔探测器就可一次读出混合膜中所有过渡金属氧化物的拉曼位移信号，这将大大提高光存储密度，最为常见的氧化物薄膜就数氧化钨基薄膜。

有研究显示，氧化钨薄膜在短波长激光的作用下，能快速发生光色变化，其重要特点之一是载噪比高，例如当激光波长为532nm时氧化钨基薄膜的反射率约为93%，其他薄膜的反射率为35%。氧化钨基薄膜响应灵敏，写入速度快，仅需2ns，由此可见，氧化钨基薄膜的短波长一次写入光记录行为在速度和信号清晰度上都优于已有的无机或有机光存储材料。
 

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检测WO3/ZnO複合物光致变色性质，是通过取一定质量的合成产物，均匀地涂在载玻片上，放在紫外灯下照射2h，然后将粉末分散于无水乙醇中。利用紫外-可见光光度计测量合成产物光致变色前后其紫外光谱的变化。

首先，将ZnO掺杂量分为1%、3%、4%、5%、7%的WO3/ZnO复合物样品分别置于紫外灯下照射2h，光照射前的合成产物是淡黄色的，照射后合成产物均变为蓝色。用紫外-可见分光光度计进行了测定，合成产物的光致变色前后在最大吸收波长处的吸光度差值设为△OD，用△OD来表示合成产物的光致变色效率。

检测结果显示：
△OD（1%）=0.85，△OD（3%）=0.98，△OD（4%）=1.22，△OD（5%）=1.73，△OD（7%）=1.10.随着ZnO的掺杂质量增加，△OD的值逐渐增大，ZnO的掺杂质量为5%时，△OD的值为最大，也就是说光致变色响应度最强，但是，ZnO的掺杂质量为7%时，△OD的值降低，光致变色响应度减弱。


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