氧化钨具有气体敏感性，用于检测二氧化氮，氨气等有毒气体的检测。被制备成三氧化钨薄膜的气体传感器因结构简单，能够通过改变金属催化剂和工作温度来检测不同气体。在三氧化钨薄膜上添加掺杂物，可改变三氧化钨薄膜的检测性能，以下对三氧化钨薄膜掺加钯进行实验分析：

将热蒸发法镀膜的三氧化钨薄膜分别在空气中400℃、500℃、600℃进行热处理4h退火后和钯沉积的厚度进行分析。实验结果分析得知三氧化钨薄膜在经过500℃热处理时呈现四方晶体的多晶态，沉积钯对三氧化钨的晶体结构没有影响，但随钯的添加抑制了三氧化钨的晶粒生长。500℃以上热处理时钯在薄膜表面呈现小球状，600℃以上热处理时钯粒子在薄膜表面凝结或扩散到材料内部。2nm钯沉积的三氧化钨薄膜在工作温度250℃时反应灵敏度和恢复特性对氢气的检测特性最好。

可见，作为催化剂的金属钯由于对氢气的反应极具活跃，在室温下约吸收自身体积850倍的氢气，而且在氢气压力低时可以释放，是不可多得的氢催化材料，用于三氧化钨薄膜上可提高氢气敏感性。


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三氧化钨薄膜光电极的制备，采用阴极电沉积法。电解液中组成为0.025M的钨酸钠，0.03M的双氧水（30%）和0.05M的硝酸（65%），溶剂为水：异丙醇=7:3，电沉积采用三电极体系，Pt电极为对电极，饱和的甘汞电极（SCE）为参比电极，清洗干净的氧化铟锡（ITO）导电玻璃为工作电极。

电沉积制备的过程在温室条件下进行，将含有0.025M的钨酸钠，0.03M的双氧水（30%）和0.05M的硝酸（65%）的电解液进行电沉积，所加电压为-0.6V，沉积时间为1h，得到蓝色无定型的三氧化钨薄膜，在空气中晾干后，将无定型的三氧化钨薄膜置于马弗炉中，此时升温速率约为2℃/min，在450℃的环境下退火处理3h，最后得到三氧化钨薄膜光电极。


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要制备Zn-WO3薄膜电极，首先应先制取三氧化钨薄膜光电极，三氧化钨薄膜光电极是通过电沉积法制备而得的。电沉积制备的过程在温室条件下进行，将含有0.025M的钨酸钠，0.03M的双氧水（30%）和0.05M的硝酸（65%）的电解液进行电沉积，所加电压为-0.6V，沉积时间为1h，得到蓝色无定型的三氧化钨薄膜。

接着采用电沉积-浸渍法制取Zn-WO3薄膜电极，即将上述电沉积得到的无定型三氧化钨薄膜置于5M的Zn（NO3）2溶液中浸渍，浸渍时间分别为10min、20 min、30 min、40 min、50 min、60 min，样品编号分别为ZW-10、ZW-20、ZW-30、ZW-40、ZW-50、ZW-60。在空气中晾干后，将这些含有Zn的三氧化钨薄膜置于马弗炉中，此时升温速率约为2℃/min，在450℃的环境下退火处理3h，最后得到Zn-WO3薄膜电极。

经过光电化学和光电催化活性测性，发现适量的Zn修饰三氧化钨光电极，其光电流和光电催化活性与纯的三氧化钨薄膜光电极相比，均有显著提高。


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钨合金被用作抗γ和X射线辐射的屏蔽或作为准直器使辐射束聚焦到目标上。多年来，钨合金已成为辐射屏蔽领域的首选辐射屏蔽件，一个关键原因是钨合金的高密度（钨合金的密度比铅大60％以上），及其高效减弱及屏蔽X射线和γ射线辐射的特性。

除了高效的屏蔽作用，钨合金的高密度也给设计师提供了一个很好的设计空间。钨合金的高密度使他们能够减少盾牌和准直器的厚度，同时仍然能提供与铅相同的屏蔽保护，这在有限的空间是一种更为理想的应用材料。




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