掺锂氧化钨电致变色薄膜可以高氯酸锂为锂源进行锂掺杂，采用溶胶凝胶法中钨的过氧化钨法制备得到。专家通过下述实验研究锂掺杂后三氧化钨薄膜性能的改变，并对掺杂量进行讨论。

锂掺杂三氧化钨薄膜相对于三氧化钨薄膜而言，其薄膜的结构、色变响应性能得到了很大的提升。

较之WO3薄膜，Li掺杂三氧化钨薄膜的性能得到改善——薄膜变得致密光滑，电荷面密度增大，变色前后的光吸收差值可达53%。采用高氯酸锂掺杂之后，并没有改变整个WO3薄膜的晶化温度，仍然以220℃为最佳热处理温度，且WO3薄膜的平均厚度在270nm左右。

有专家对钽掺杂氧化钨电致变色薄膜的表面形貌进行观察，发现其SEM图如下图所示，其中，（a）、（b）、（c）、（d）、（e）、（f）、（g）分别为未掺杂Ta、掺杂5%Ta、掺杂10%Ta、掺杂15%Ta、掺杂25%Ta以及掺杂35%Ta的WO3薄膜。