钼：降低三星NAND闪存层高和响应时间

在半导体技术的浩瀚星空中，每一次微小的进步都可能引发行业内的巨大变革。据了解，三星公司在其第9代V-NAND技术上进行突破性尝试——引入钼（Mo）作为金属布线材料。这一创新不仅预示着NAND闪存层高有望实现30%至40%的进一步缩减，更将显著降低响应时间。

在半导体制造这一精密而复杂的领域中，金属布线犹如电路中的血脉，将数十亿个电子元器件紧密相连，赋予半导体产品以生命。无论是CPU、GPU还是其他各类芯片，金属布线都是实现其功能的关键环节。因此，寻找更加高效、稳定的金属布线材料，一直是半导体行业不断探索的课题。

六氟化钨（WF6）目前是半导体金属布线的重要材料之一。据中钨在线了解，六氟化钨是一种无色无味的气体或浅黄色液体，它经过化学气相沉积工艺后能形成金属钨，再将金属钨制成二硅化钨（WSi2），以作为半导体的配线材料。

为了提高半导体的性能，三星此次选择钼材料作为金属布线的革新尝试，无疑是一次大胆的探索。钼的高熔点、高密度、良好导电导热性和化学稳定性，使其成为提升NAND闪存性能的理想选择，允许在NAND中堆栈更多层。然而，钼材料的引入比较困难，它要求生产设备能够进行耐高温处理，将固态钼原材料加热至600℃以上，并转化为气态，这与金属布线广泛使用的六氟化钨处理方式截然不同。

据消息人士称，三星已从Lam Research公司引入了首批5台Mo沉积机，并规划在明年再增购20台，以加速其钼基NAND的生产布局。

供应链方面，三星正与多家领先供货商紧密合作，包括英特格（Entegris）和Air Liquide，以确保稳定的钼源供应。同时，默克等公司也积极响应，向三星提供了钼材料的样品，展示了行业对新技术路径的广泛支持与期待。

此外，SK海力士、美光和 铠侠等公司也纷纷跟进，探索在NAND生产中采用钼材料的可行性，共同推动半导体材料的革新进程。

据悉，今年5月，三星已经启动了首批第九代V-NAND闪存量产，位密度比第八代V-NAND提高了约50%。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新界面，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

版权及法律问题声明

本文信息由中钨在线®（www.ctia.com.cn，news.chinatungsten.com）根据各方公开的资料和新闻收集编写，仅为向本公司网站、微信公众号关注者提供参考数据。任何异议、侵权和不当问题请向本网站回馈，我们将立即予以处理。未经中钨在线授权，不得全文或部分转载，不得对档所载内容进行使用、披露、分发或变更；尽管我们努力提供可靠、准确和完整的信息，但我们无法保证此类信息的准确性或完整性，本文作者对任何错误或遗漏不承担任何责任，亦没有义务补充、修订或更正文中的任何信息；本文中提供的信息仅供参考，不应被视为投资说明书、购买或出售任何投资的招揽档、或作为参与任何特定交易策略的推荐；本文也不得用作任何投资决策的依据，或作为道德、法律依据或证据。

• < 上页
• 下页 >