盐简化2D二硫化钼形成的过程

盐(NaCl)在2D二硫化钼的化学气相沉积生长中起到了中介作用,加快了其生成过程。莱斯大学的材料理论家发现NaCl和前体形成共晶,其熔化温度比它们中的任何一个都低。

来自莱斯大学实验室的材料理论家Boris Yakobson在其2018年的后续研究中展示了原因,该研究说明了NaCl是如何简化有用的二维二硫化钼(MoS2)的创建过程的第一原理分析,可以能够对其进行更多的改进。

Yakobson和合作者Jincheng Lei, Yu Xie和 Alex Kutana等人进行的理论研究显示,为什么NaCl,特别是碘盐,倾向于通过模拟原子级能量降低被认为对开发MoS2至关重要的化学气相沉积(CVD)炉中的反应温度。

高渗透率的亚纳米级筛网复合MoS2膜图片

(图片来源:Bedanga Sapkota /自然通讯)

NaCl是通过帮助跳过传统CVD生长中的几个步骤和跳过高能量障碍来提供更多的MoS6,它被认为是二维MoS2的必要前体。这项研究发表在《美国化学学会杂志》上,集中讨论了NaCl如何减少活化障碍以改善钼氧卤化物的硫化,钼氧卤化物是MoS2结晶的气体原料。

MoS2是一种以辉钼矿为名的天然化合物。此外,二维形式的MoS2因其半导体特性而备受青睐,这为光电子、电子、自旋电子、催化和医疗应用等领域的发展带来了希望。然而,二维MoS2仍然难以以商业数量制造。

最初,当新加坡、中国、日本和台湾的实验室利用NaCl来制作一个所谓的整合过渡金属和黄铜的二维材料“库”时,莱斯小组开展了研究。

相对而言,即使是理论上的良好功能的材料也是一个难题,从而促使他们求助于Yakobson实验室在材料建模方面的专业知识。他们的大量模型显示,虽然国际实验室利用氯盐来创建他们的材料库,但一般碘化物NaCl在加速MoS2的合成方面更有优势。

二维二硫化钼的生长图片

(图片来源:Jincheng Lei/Yakobson研究小组)

快速和大规模的合成对于MoS2的广泛应用是必不可少的。我们仔细研究了整个生长过程,希望能尽可能地优化它。结果发现,只要将氯化物改为碘化物,就可以在更低的生长温度下更快地合成2D二硫化钼。

当NaCl和前体结合形成共晶时就会发生这种情况,共晶是一种物质的混合物,在单一温度下熔化和凝固,与成分的熔点相比要低。

在盐辅助合成被证明能够使许多TMD(过渡金属二氯化物)化合物的生长比以前可能的要多,并显著改善了以前合成的化合物的生长条件之后,人们清楚地认识到这一过程有其特殊之处。

莱斯大学材料科学与纳米工程系的Bets补充说:“一些实验小组试图进一步调查,但监测生长条件下气相的分子组成并不是一项简单的任务。即使这样,你也无法看到全貌。”

“我们非常彻底,对Jincheng关于传统2D二硫化钼生长机制的工作进行了跟进。我们模拟了该过程的所有部分,从硫化到二维晶体生长。这种更加全面的方法得到了回报,” Bets补充说。

在模拟中,来自莱斯大学的研究小组能够直接观察到完整的硫化过程,因为在CVD条件下,一般前体MoO2Cl2中的氯原子和氧原子逐渐被硫取代。该实验室表示,共晶效应可能被认为是二维二氯化物单层CVD合成中的一种常见现象,因此值得继续研究。

 

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