MoS2电子器件让隐形眼镜内嵌显示屏成为可能
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- 分类:钨业新闻
- 发布于 2021年7月28日 星期三 20:13
- 作者:Xiaoting
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近期,有研究者利用外延生长得到的四英寸高质量、高定向单层二硫化钼(MoS2)薄膜,结合传统的微加工工艺,通过优化绝缘层与接触电阻,制备出了大面积柔性透明的MoS2电子器件,这让隐形眼镜内嵌显示屏成为可能。
近几年,在半导体器件发展微型化和柔性化的驱动下,二维半导体材料如二硫化钼展现出了独特的优势,即具有优异的光、电、机械性能和超薄透明的物理特性,进而使它非常适合用来制备更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件。
然而,在实际生产中单层MoS2的研究仍存在一些问题:一是难以制备出高质量大尺度二硫化钼晶圆;二是在器件工艺上,难以实现高密度、高性能、大面积均一的器件加工。
为了解决单层MoS2晶圆的生产难题,研究者利用自主设计搭建的多源化学气相沉积系统,采用立式生长和多点形核的方法,在蓝宝石衬底上外延制备出了四英寸高质量连续单层二硫化钼晶圆,有效解决了传统方法制备的单层MoS2晶圆会出现晶粒尺寸小、取向随机的问题。
此外,他们还研究出了三大器件加工工艺:采用传统的微加工工艺,逐层制作器件,实现了器件层与层之间的洁净和兼容,进而保证了器件阵列的大面积均一性;采用物理吸附与化学反应相结合的原子层沉积方法,提高器件绝缘层质量;采用金/钛/金多层结构作为接触电极,既能降低接触电阻,也可解决机械性能问题。
总的来说,该研究团队制备出的大面积柔性MoS2电子器件具有高密度、高产率以及高性能,因而可用来制备具有低功耗、高性能和柔性的产品。
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