新型氧化钼二维材料问世 可用于晶体管传感器

据俄罗斯卫星通讯社，莫斯科国立钢铁合金学院国家研究型技术大学（MISIS）与内布拉斯加大学林肯分校（美国）积极开展二维材料合成及其性能研究领域内的合作，并在纳米技术科学期刊中发表了关于氧化钼（MoO2）方面的工作成果。

二维材料的创建和研究是现代材料科学中年轻且非常有前景的领域。二维材料的特征在于其厚度非常小（通常小于1纳米），因此它们可用于创建现代电子设备上使用的分层异质结构，比如晶体管、传感器、太阳能电池和发光二极管等。

莫斯科国立钢铁合金学院国家研究型技术大学研究人员德米特里•穆拉托夫表示，他们通过化学沉积法从气相中获得了二维材料氧化钼，然后使用分析方法对其进行全面研究，并将进一步研究如何利用这些成果。“已经显示出所得材料的导电性、以及能够空气中、不同性质的基材上获得稳定且非常薄的导电MoO2层（在这种情况下为晶体）方面的积极成果。”他表示，新材料可用于创建异质结构和纳米器件，如晶体管、传感器、光电探测器等。

据悉，该大学功能纳米系统和高温材料教研室已经开发出用于太阳能电池、发光二极管和传感器的过渡金属硫属化物，正在研究将氧化石墨烯作为改善各种钢耐腐蚀性的涂层的方法，以及生产MXene的方法，其是层状钛和钒碳化物并且已经取得有趣的成果。

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