钨铜热沉材料和电子封装材料制备工艺

本发明提供一种制备钨铜热沉材料和电子封装材料的制备工艺。具体步骤如下：

1）粉末准备　取纯度≥９９．９５％，平均费氏粒度为３～８微米的钨粉，取纯度≥９９．９５％，平均粒度为一３００目的电解铜粉待用；　

2）添加诱导剂及混料将所述电解铜粉作为诱导剂与所述钨粉在粉末混料机中混合均匀；　

3）压制成型　包括：将所述混合料按照预定形状模压自动成型，和对模压自动成型后的钨铜生坯进行等静压覆压处理；　

4）预烧结　对步骤Ｃ压制成型后的钨铜生坯在钼丝炉中进行预烧结，得到钨铜合金坯体；　

5）液铜浸渗　在渗铜炉中盛装纯度≥９９．９５％的液态电解铜，将预烧结得到的钨铜合金坯体浸入１２００℃～１４００℃的所述液态电解铜中进行液铜浸渗处理１～２．５个小时，该处理过程在还原性气体或还原性气体和惰性气体的混合气的保护下进行，而后将钨铜合金坯体从液态电解铜中提出，进行冷却，得到钨铜合金.

注：　步骤2中所述电解铜粉的加入量占所述钨铜合金总重量的０～６％，步骤2中所述电解铜粉的加入量与步骤5中所述液态电解铜的渗入量之和占钨铜合金总重量的１５～２５％。

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