具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法

本发明提供一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法。其特征在于：

氧化钨纳米材料呈现出高度有序的带状纳米结构，单个氧化钨纳米带长度为０．５－５μｍ，宽度为１００－４００ｎｍ，厚度为１０－５０ｎｍ；氧化钨纳米带平行并垂直于金属钨基体方向直接生成。

步骤如下：

1）以金属钨丝或钨片为反应基体，基体两端分别连接加热电源的正负极，将金属钨基体置于密闭反应室中；

2）抽真空至３０００～５０００Ｐａ时，打开加热电源，控制基体温度在５００～１１００℃间，反应５～３０ｍｉｎ后关闭加热电源；

3）保持真空度不变自然冷却至室温。

本发明提供的具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法优点：氧化钨材料与基体结合牢同；并呈现高度有序的纳米带状阵列结构；阵列比表面积大，纳米尺寸效应显著；制备简捷，无需基体前处理和外源物参与反应，其过程一步完成。

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