铜掺杂硅基氧化钨气敏组件的制备方法
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- 发布于 2021年1月29日 星期五 18:51
- 作者:Xiaoting
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多孔硅基氧化钨气敏材料是由多孔硅为基底担载氧化钨形成的纳米复合半导体材料,其由于比表面积较大和气体扩散通道较多,因此在室温下对氮氧化物气体表现出较好的气敏性能。根据以往的研究表明,掺杂改性是一种能显著改善气敏材组件灵敏度和选择性的有效途径,有望满足室温条件下对氮氧化物气体实现更高性能探测的需求。因此,下面将要介绍的是铜掺杂硅基氧化钨气敏材料的制备方法。其具体步骤如下:
镧钨电极的新制造方法
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2021年1月29日 星期五 18:47
- 作者:Xiaoting
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随着高新技术的发展,机械电子、石油、化工、航空航天、船舶、原子能等领域,被切割的金属母材料的种类、形状、厚度等的要求越来越复杂,因此对钨电极的性能要求也越来越苛刻,这样需要研制出性能更好的电极才能满足需要。研究表明,添加镧、钇可以有效地改善钨电极的性能,特别是镧钨电极具有寿命长、起弧性能好的特点。下面,我们一起来了解一下钨镧电极的新制造方法。