氧空位氧化钨复合光催化剂的生产

氮化碳半导体因有环保、无毒、稳定性良好等特点而成为近些年来备受可见光催化材料。但是单纯氮化碳的比表面积较小，禁带宽度较大，光生电子-空穴对的复合率较高，进而不能有效利用太阳光，这大大限制了其光催化效率的提高和在光催化领域的发展。为了进一步提高氮化碳的光催化活性，研究者便使用了氧空位氧化钨对它进行改性，以有效增多产品的活性位点。下面，我们一起来了解一下氧空位氧化钨复合光催化剂的生产方法。

一种氧空位氧化钨/氮化碳（WO2.72/C3N4）复合光催化剂的生产方法的具体步骤：

（1）将氮化碳粉末置于盐酸溶液中进行质子化处理，持续搅拌后过滤、洗涤、烘干；

（2）将质子化处理的氮化碳粉末分散于无水乙醇或水中进行超声处理，然后加入六氯化钨进行水热反应；

（3）收集水热反应的产物并水洗、烘干、研磨，即得所述氧空位氧化钨/氮化碳复合光催化剂。

该制造方法的注意事项如下：1）步骤（1）所述盐酸溶液的浓度为5～8mol/L；持续搅拌时间为24小时以上。2）步骤（2）中所述水热反应的温度为180～220℃，反应时间为10～15h；超声处理时间为10～60min；所述氮化碳和六氯化钨的品质比为1：0.398～3.965；3）步骤（3）中所述烘干为在真空干燥箱中于60℃条件下烘5～12小时直至干燥。

该制造方法的优势如下：工艺简单，可重复率高，对实验仪器设备没有太高的要求。另外，氧空位氧化钨/氮化碳复合光催化剂具有较大的禁带宽度，对太阳光有较宽的响应范围。

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