氧空位氧化钨复合光催化剂的生产
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2021年1月12日 星期二 20:03
- 作者:Xiaoting
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氮化碳半导体因有环保、无毒、稳定性良好等特点而成为近些年来备受可见光催化材料。但是单纯氮化碳的比表面积较小,禁带宽度较大,光生电子-空穴对的复合率较高,进而不能有效利用太阳光,这大大限制了其光催化效率的提高和在光催化领域的发展。为了进一步提高氮化碳的光催化活性,研究者便使用了氧空位氧化钨对它进行改性,以有效增多产品的活性位点。下面,我们一起来了解一下氧空位氧化钨复合光催化剂的生产方法。
一种氧空位氧化钨/氮化碳(WO2.72/C3N4)复合光催化剂的生产方法的具体步骤:
(1)将氮化碳粉末置于盐酸溶液中进行质子化处理,持续搅拌后过滤、洗涤、烘干;
(2)将质子化处理的氮化碳粉末分散于无水乙醇或水中进行超声处理,然后加入六氯化钨进行水热反应;
(3)收集水热反应的产物并水洗、烘干、研磨,即得所述氧空位氧化钨/氮化碳复合光催化剂。
该制造方法的注意事项如下:1)步骤(1)所述盐酸溶液的浓度为5~8mol/L;持续搅拌时间为24小时以上。2)步骤(2)中所述水热反应的温度为180~220℃,反应时间为10~15h;超声处理时间为10~60min;所述氮化碳和六氯化钨的品质比为1:0.398~3.965;3)步骤(3)中所述烘干为在真空干燥箱中于60℃条件下烘5~12小时直至干燥。
该制造方法的优势如下:工艺简单,可重复率高,对实验仪器设备没有太高的要求。另外,氧空位氧化钨/氮化碳复合光催化剂具有较大的禁带宽度,对太阳光有较宽的响应范围。
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