所谓的温室棚膜用高纯纳米三氧化钨粉末是指在薄膜生产时制造商有添加适量该氧化钨粉末的农用薄膜。与传统的农膜相比，含有钨氧化物材料的棚膜具有更高的透光性、更好的保温性、更大的强度、更长的寿命以及更良好的流滴特性等优势，更能符合未来的发展要求。

氮化碳半导体因有环保、无毒、稳定性良好等特点而成为近些年来备受可见光催化材料。但是单纯氮化碳的比表面积较小，禁带宽度较大，光生电子-空穴对的复合率较高，进而不能有效利用太阳光，这大大限制了其光催化效率的提高和在光催化领域的发展。为了进一步提高氮化碳的光催化活性，研究者便使用了氧空位氧化钨对它进行改性，以有效增多产品的活性位点。下面，我们一起来了解一下氧空位氧化钨复合光催化剂的生产方法。

所谓的高纯纳米紫钨棚膜是指在生产过程中有添加紫色氧化钨颗粒的塑料薄膜。相对于普通的薄膜来说，该新型农用薄膜拥有更高的性价比，比如制造成本更合理、耐高温性能更好、化学性能更为稳定、抗紫外线与近红外线能力更强等。而这些优点主要源于紫钨的分子结构更为特殊，而具备更为优秀的理化性质。下面，我们一起来了解一下在使用过程中应如何防止棚膜老化。

钨的氧化物属于一种新型的半导体材料，具较高的光催化活性和良好的超导性能，其中W02.90（蓝色氧化钨）和WO2.72（紫色氧化钨）是目前已知化学稳定性较好的非化学计量比的氧化钨。它们因晶体结构中存在氧空位缺陷的原因，而又可以称为氧空位氧化钨粉末。相较三氧化钨而言，氧空位氧化钨具有更为优秀的光致变色、近红外吸收、紫外吸收以及光催化等性质，更适合应用于新一代的棚膜中。

作为高温超导涂层导体的重要组成原料之一，镍钨金属基带除了立方织构质量是影响该产品性能的重要因素外，基带的表面特性也十分重要，将直接影响后续氧化物材料的制备以及超导层的性能。目前对于NiW金属基带的表面特性研究主要包括：表面腐蚀、抛光、退火、表面硫化改性等，但是它们均存在一定的不足，比如没有改善基带表面活性，基带表面出现晶界热蚀钩等缺陷。因此，本文将提出在NiW金属基带表面采用低成本的化学法制备出钨纳米点，这样将提高基带的表面活性，促进氧化物层异质外延生长。

据悉，氧化钨纳米棒的长径比如果较大的话，很容易在碳化还原过程中，因氧化钨之间相互缠绕，而生成大颗粒碳化钨，进而影响其结构与性能。下面，将为大家介绍的是如何用氧气调节氧化钨纳米棒长度？

作为过渡金属硫化物半导体材料的代表之一，二硫化钨纳米粉末除了能很好地用来作为高性能储能电极的生产原料之外，其在润滑领域的应用也是大家再熟悉不够的。那二硫化钨润滑脂具体有哪些优势呢？

具有与二硫化钼层状结构相似的二硫化钨超细颗粒（WS2），其其实也很适合用作锂离子存储的层状过渡金属硫化物。由于WS2层状结构较为特殊的原因，这也使得锂离子很容易嵌入和脱嵌它的表面。不过，根据制造方法的不同，二硫化钨的形貌和尺寸也有所区别。据悉，当超薄的二硫化钨纳米片组装成花状结构时，更加有利于增大其比表面积，从而能大大提高储能材料的电化学性能。下面，我们一起来了解一下花状二硫化钨纳米材料的制备。

二硫化钨，英文为Tungsten disulfide，分子式为WS2，是金属钨原子和非金属硫原子共同的化合物，外观颜色呈灰色，并带有金属光泽，属于六方晶系，根据制备方法的不同，其形貌也多种多样，如花状、片状、棒状、球状、线状等。那在实际应用过程中，二硫化钨常喷涂在金属表面的作用是什么呢？

钨合金材料是一种以金属钨为主要原料以镍、铜、铁为辅助原料的合金。相对于纯钨金属来说，钨合金虽然纯度更低，但是加工性能更好，且具有较高的密度，较强的抗射线能力，是新一代屏蔽件的优选材料。就伽马射线准直器来说，其适合用钨合金来生产，这样除了能很好地抵挡伽马射线击穿部件外，还可以尽可能确保粒子沿着特定的形状运动，减小辐射野形状的误差。

准直器在制造时之所以选用钨合金作为主要原料，是因为该合金具有较强的射线屏蔽能力，是铅的1.7倍多的，且无毒，易加工。