本发明提供一种钨酸盐纳米材料的制备方法，属于无机纳米材料领域。步骤如下：

1）将钨酸钠和铅盐分别置于容器中，以去离子水为溶剂，加入添加剂，在常温下反应40~60分钟；

2）将上述混合物移入反应釜中，向釜中加入去离子水至釜容积的60％~70％，密封；

3）在120-160℃温度下反应3-12小时，将反应釜自然冷却至室温，将产物取出，洗涤，离心分离干燥；

4）将最终产物分散于无水乙醇中，即可制得钨酸盐纳米材料。

本发明原料易得，成本低廉，工艺简单，仪器设备简便，制备产物纯度高，后处理方便，不产生杂质污染物，为纳米材料的控制合成提供了新的途径。

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本发明提供一种钨铝合金粉末制备方法。该方法以金属钨粉和铝粉为原料，在保证这两个高熔点差和密度差的金属具有良好的固相反应接触面的同时，局部地、瞬间地、间隙式地提供键合能量，使金属钨表面合金化，再通过反应物的随机运动提供新接触面和晶粒内部的固相扩散实现合金的均匀化，在常温下合成钨铝合金。步骤如下：

1）选择粒度小于 200目，纯度大于99.8％的金属钨粉，粒度小于200目，纯度大于 99.5％的铝粉，按合金组分W_(1-x)Al_x，x=0.01-0.86称量；

2）将二金属粉 加入高能球磨罐中，球料比为30：1~-50：1，氩气保护下密封，合成时间4~140小时；

3）当x＝0.55-0.86时，将铝粉分数次在合成过 程中逐渐加入，获得钨铝合金粉末。

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本发明提供一种钨铝钼合金粉末制备方法。其表达式为W_（1-x-y）Al _（x）Mo_（y），式中：x=0.01-0.86，y=0.01-0.98。

以钨粉、铝粉和钼粉三种金属粉或钨钼合金粉末和金属铝粉末为原料，加入球磨罐中，球料比为25:1~50:1，氩气保护下密封，合成时间30~160小时，获得钨铝钼合金粉末；或以钨铝合金粉和金属钼粉为原料，加入球磨罐中，球料比为25:1~50:1，氩气保护下密封，合成时间30~160小时，获得的产物放入真空碳管炉中，1200~1400℃保持5~10小时，获得钨铝钼合金粉末。

本发明中的铝粉可以分为数次加入球磨罐中。

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本发明提供一种钨丝加热反应器的介绍，其属于高温熔样装置。适合于开展38Ar稀释法、39Ar快中正活化法矿物及岩石定年及稀有气体分析的良好熔样装置。

由外壳、真气空、热源、坩锅组成的钨丝加热反应器，其特征是：1）热源是加热钨丝；2）热源钨丝外面有由石英管、钼管构成的隔热保温套。

该装置为提高密封程度。在法、下法兰上皆采用刀口、双刀口之间用无氧铜垫圈进行密封；为防辐射热。采用石英圆管及钼管组成的隔热保温套。下部法兰上的两根电极引线柱，采用九五真空陶瓷封接;加热源采用钨丝加热,熔样坩锅采用石英熔样坩锅。

这样该反应器：体积小、结构简单、耗能低、保温性能好、密封程度好，是国内外首创。

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本发明介绍一种粉末冶金钨接点。其属汽车电器元件领域.已有钨接点的生产是采用钨坯垂熔烧结、旋锻成棒,再切割成片的方法。

特点：工艺简单，只需五道工序，通过添加其它成分,提高了产品的抗氧化性能并防止了钨接点使用时发生物质转移，平均使用寿命达到41300公里/副接点，因此本发明钨接点可广泛用于汽车电器和其它电器仪表上。

缺点：工艺流程长、一般需二十道工序、易氧化、使用时发生物质转移，需经常打磨。而本发明钨接点采用粉末冶金工艺生产。其特征在于以钨为主要成 分，添加其它成分如Ni、Co、Cr。

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本发明提供一种灯泡钨丝打压定位方法。步骤如下：

1）将钨丝两端分别打压、定位在烫珠的合金片和镀镁丝的两端；

2）将所述的镀镁丝弯折一角度，离开合金片一距离，用定位机构将钨丝两端直接打压定位在合金片的较宽平面与镀镁丝弯折端的末端；

3）最后将弯折的镀镁丝还原，从而提高产品的质量和生产效率。

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本发明提供一种改进的钨插销结构的工艺流程。传统的钨插销工艺是随着集成电路工艺特征线宽缩小的要求而发展起来的，主要解决铝物理气相沉积而产生的现象。步骤如下：

1）采用物理气相沉积的方法淀积钨和其化合物作为扩散阻挡层；

2）经退火后，仅用氢气还原六氟化钨的化学气相沉积方法填充接触孔（CONTACT）和对接孔（VIA），形成钨插销（PLUG）结构。

该技术从而简化了流程，提高了生产率，降低了费用，提高了安全性，具有填充效果好、集成度高的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、价格昂贵、生产效率低和控制困难的问题，其中较为突出的是在钛和氮化钛淀积、钨的化学气相沉积方法中需要多步进行而导致的问题。

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本发明提供一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨方法。步骤如下：

1）提供一半导体基底，其包含有至少一钨插塞及一内金属介电层；

2）钨金属的化学机械研磨制程的前段研磨，采用标准钨研磨浆，于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行； 

3）钨金属的化学机械研磨制程的后段研磨，采用一氧化物研磨浆（使用氧化物研磨浆可有效减少介电层表面的微刮痕数量），于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行。

本发明可以避免组件中产生断路的情形，防止金属内连线之间产生高漏电流的问题，确保半导体组件的电性品质。

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本发明提供一种形成钨布线的方法。在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模，以减少对钨结层的厚度限制。步骤如下：

1）在半导体衬底上形成金属布线；

2）形成适当的光致抗蚀剂膜图形，以暴露金属布线层上相应于将形成金属布线的部分；

3）固化光致抗蚀剂膜图形；

4）在金属布线层暴露的部分上选择性地形成金属薄膜；

5）利用氯基等离子体对金属薄膜进行处理，从而形成金属氯化物薄膜；

6）除去光致抗蚀剂膜图形；

7）将金属氯化物薄膜作为掩模对金属布线层进行刻蚀；

8）除去金属氯化物薄膜形成钨布线。

本发明提供足够的工艺余量，从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。

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本发明提供一种钨基高比重合金板的制备方法。步骤如下：　　　　

1）将Fsss费氏平均粒度在2.8~3.2μｍ的钨（W）粉与镍（Ni）粉、铁（Fe）粉、微量的钴（Co）粉和钇（Y）粉混料机内混料压坯；

2）将坯料在氢气体保护下，烧结炉内在以15℃/min速率升温至1490℃~1500℃保温2小时制得板坯；

3）将制得的板坯用不锈钢板作为包套材料，进行包套轧制。

注：轧制温度为700℃~900℃，开坯时第一道次的加工率为25%~30%，随后每道次加工率为18%~23%，总加工率达45%~50%时在真空度为6×10^-3Pa，温度为1000℃~1250℃条件下，保温1~2ｈ进行真空热处理来消除应力；随后选择在700℃~900℃进行轧制，每道次加工率达到20%~25%之间，总加工率达到70%~80%时可获得良好的中间板材；再采用1000℃~1100℃温度退火，进行最终轧制后。

本发明获得的钨基高比重合金板具有优异机械性能，可广泛应用于医疗电子、核军工、化学冶金、机械加工等行业的生产流程少，适于批量化生产W-Ni-Fe板材。

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