蓝宝石衬底的氮化铝缓冲层现有技术说明

蓝宝石衬底的氮化铝缓冲层这样的现有技术说明参考文献公开了其中通过在创建p-型传导制造III族氮化物半导体激光器（AlxGayIn1 - x-yN ，包括x = 0的情况下， Y = 0和X = Y = 0） ，通过暴露于电子束。这样的半导体激光器具有形成在其上，反过来，覆盖有在III族氮化物化合物半导体（AlxGayIn1 - x-yN的pn异质结的蓝宝石衬底的氮化铝缓冲层;包括x = 0的情况下， Y = 0和x = Y = 0 ） 。

在未经审查的日本专利公开提出了激光二极管（公开）第Hei- 4 - 242985是由氮化镓基化合物半导体制成（（的Al x Ga -X） yIn1 -YN ; 0≤X≤ 1,0 ≤Y≤ 1） ，用所掺杂的杂质激活层。


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