FTO透明导电玻璃用掺钛氧化钨薄膜

有专家在不同氧气分压条件下，采用脉冲直流反应磁控溅射法在FTO透明导电玻璃基底上制备了掺钛氧化钨薄膜。他们发现：

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氧气分压较低时，所制备的薄膜为欠氧状态的三斜晶系，增加氧气转变为立方晶系结构。随着氧气分压增大，薄膜结晶程度增加，薄膜表面颗粒由片状逐渐凸起，颗粒尺寸减小，表面粗糙度减小，薄膜致密性增加；同时薄膜由淡蓝色变为淡黄色，透过率增加，光学带隙逐渐减小。薄膜电致变色循环稳定性随着氧分压增加，先增大后减小， 550nm处光学调制幅度为62.0%，薄膜经过200次循环后光学调制幅度和CV曲线未见明显变化，表现出好的电致变色幅度和循环稳定性。同时，增大氧气分压，薄膜着色、褪色响应时间变短，薄膜变色速率增加。因此，反应磁控溅射制备氧化钨电致变色薄膜工艺中，增加氧分压，可以使薄膜结晶度增强，结构更加稳定，有利于循环稳定性，但是过高氧气分压导致薄膜过于致密，锂离子残留薄膜中难以抽出，不能完全褪色。

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