Li掺杂三氧化钨薄膜

较之WO3薄膜，Li掺杂三氧化钨薄膜的性能得到改善——薄膜变得致密光滑，电荷面密度增大，变色前后的光吸收差值可达53%。采用高氯酸锂掺杂之后，并没有改变整个WO3薄膜的晶化温度，仍然以220℃为最佳热处理温度，且WO3薄膜的平均厚度在270nm左右。

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专家发现，所得薄膜的结构、色变响应等性能最佳时，呈现的三氧化钨前驱体的最佳配比为钨粉g：过氧化氢ml：乙酸ml：无水乙醇ml：乙二醇甲醚ml：高氯酸锂g———1：2.75：0.75：2：1：0.0875。以此最佳配比制备WO3前驱体，然后再进行相关掺杂。经最后计算，采用高氯酸锂进行掺杂的最佳掺杂量为13.7%。但是，专家在利用醋酸锂作为锂源掺杂时，发现所得最佳掺杂量仅为该值的一半左右。由此，该法制备WO3薄膜时，掺杂源的选择对掺杂量具有影响，可能是由于水解等原因造成，具体原因还需要进一步进行试验探讨后确定。

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