钽掺杂氧化钨电致变色薄膜

有专家对钽掺杂氧化钨电致变色薄膜的表面形貌进行观察，发现其SEM图如下图所示，其中，（a）、（b）、（c）、（d）、（e）、（f）、（g）分别为未掺杂Ta、掺杂5%Ta、掺杂10%Ta、掺杂15%Ta、掺杂25%Ta以及掺杂35%Ta的WO3薄膜。

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由图（a）可以看出，未掺杂的氧化钨薄膜是由细小的纳米颗粒组成的多孔材料，薄膜表面均匀平整，但是有细小的裂纹。当Ta掺杂量为5%-10%时，薄膜表面仍然较为平整，且裂纹逐渐减少，如图（b）和图（c）所示。当掺杂量达到15%-25%时，薄膜表面不再平整，形成一些凸起的纳米团簇颗粒，如图（c）和图（d）所示，能谱仪结果显示这些凸起的纳米颗粒的组成成分与薄膜其他部位的组成成分相同。当掺杂量进一步增加到35%时，薄膜表面零星地分布着一些微米级别的颗粒，如图（f）所示。这些颗粒放大后的表面形貌如插图（g）所示，能谱结果显示这些颗粒的组分与薄膜其他部位的组成并无差别，但是致密度更高，显然这种结构不利于离子在薄膜中的传输。

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