在一些石油钻探的相关领域中，硬质合金球以其高硬度、高密度、高强度的一直扮演着重要的角色，并逐步取代了钢球和陶瓷球。而传统的研磨工艺由于受到机械本身的限制以及一些无法排除的人为因素影响，无法保证硬质合金球的球坯一致性以及性能稳定性。因此相关人员对硬质合金高精度研磨方法展开了深入研究。主要的几种方法包括自转角主动控制法、双自转研磨法以及偏心V型槽研磨法。

首先自转角主动控制研磨法是由国外的一些相关学者率先提出的一个构想，其也被称为同轴三盘研磨法。该方法是在传统V型槽研磨工艺的基础上，将下研磨盘的V型槽部分分割开来，使得整个机构由三块可独立转动的研磨盘组成，然后通过控制三块研磨盘的转速变化来调整球坯的自转角，示意图如下：

在该机构中，自转角除了与研磨盘沟槽直径、V型槽道夹角等几何参数有关外，还与三块研磨盘的转速有关。通过对三块研磨盘转速的调整，可以实现自转角的变化（在-90°-90°范围内取值）。此外，球坯还能作自旋轴相对方位不断变化的研磨运动。研磨的轨迹线是以球坯自转轴为中轴的空间球面曲线。这样一来就能够均匀地覆盖整个球坯表面，有利于球坯表面获得均匀且高效的研磨。然而，虽然这种方法在实验中能够确保良好的加工精度以及加工效率，但是在实际的生产实践中的调试和维护存在一定困难，无法推广生产使用。

而双自转研磨法是由国内的相关研究学者首先提出的，它是基于自转角主动控制研磨法，在保持自转角主动控制功能的前提下，使上研磨盘在加工过程中周向固定，并对球坯施加一定的弹性载荷，使得加工余量较大的球坯受到较大的载荷，这也满足了研磨成球的尺寸选择性条件。此外，其采用两块独立旋转的研磨盘组件，简化了机械结构也降低了加工及装配难度（研磨过程中，上研磨盘在研磨过程中不需要旋转，使得与下研磨盘的同轴度要求较低）。但是该工艺方法也存在一定的问题，由于钨钴类硬质合金球在研磨的过程中容易产生较大的惯性，这会对整体的研磨运动轨迹和过程产生一定的影响，而硬度较高的钨钴类硬质合金球还会对沟槽产生不均匀磨损使得加工精度得不到保证。

最后介绍的是偏心V型槽研磨方法，该方法的上研磨盘的回转轴线与V型槽的轴线存在一定的偏移距离，这也使得球坯的公转中心与上磨盘旋转中心不在同一直线上，球坯与上研磨盘的接触点将沿着上研磨盘径向移动。与V型槽研磨法相比，该方法能够更好的获得球形偏差。国内的学者还在此基础上提出了优化方案，即使偏心盘与V型槽研磨盘同时转动，通过调节上下研磨盘的转速，是研磨轨迹充分发散，从而削弱偏心距对研磨均匀性的不利影响。

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研究者发现在双注入模型的基础上，注入的电子在被氧空位捕捉后形成色心是引起材料变色的起源，但是经过研究发现注入的氢也会对材料的变色起作用。因此研究者们建立了结构水分子模型，且这通过热重质谱联合技术可证实在三氧化钨纳米线薄膜内存在结构水分子。而三氧化钨气致变色的水分子结构能很好的解释三氧化钨纳米线的着色过程。在WO₃纳米线薄膜内气致变色的着色过程可以描述为，吸附在Pt纳米颗粒表面的H₂分子被离化成为H原子，H原子通过溢出机制转移到了WO₃纳米线表面。

氢离子和电子双注入到WO₃晶格内，然后氢离子与晶格中的O形成结构水分子。该结构水分子在热扰动或者光照的情况下，容易脱落其原先的位置，导致氧空位的出现。该结构水分子在常温条件下依然留在晶格内部，并不会排出纳米线体外。另一方面，注入的电子填充到由氧空位的出现而引起的导带底局域态中，从而引起W价态的改变。（从W₅⁺变成W₆⁺）。

经实验发现，结构水分子能够较好的解释气致变色的着色过程，同样它也能解释气致变色的褪色过程。气致变色的着色和褪色过程是一个燃烧的放热过程，WO₃和Pt颗粒当催化剂的作用。其褪色过程的描述如下：当着色的纳米线在空气或者是氧气的条件下，吸附在表面的O₂分子同样在Pt纳米颗粒表面发生了离化和转移，转移到WO₃纳米线表面的O原子首先与吸附在表面的H反应形成羟基。

随着O原子的不断转移，O原子在纳米线表面通过捕获自由的电子形成O₂^-。随着纳米线内载流子浓度的减少，局域在氧空位附近施主能级上电子变得不稳定。当这些施主能级上的电子被吸附氧原子俘获并局域在纳米线表面时，与氧空位链接的W原子的价态会从W₅⁺重新变成W₆⁺，从而引起局域在附近的结构水分子的不稳定。最后，结构水分子分解成H⁺和O粒子。一方面，H⁺扩散到纳米线的表面与表面吸附的O离子结合形成水分子，吸附到空气中。另一方面，O离子填补了氧空位，使材料物质结构回复到了着色前的WO₃结构，完成了三氧化钨纳米线薄膜的褪色过程。

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晶体结构即晶体的微观结构，是指晶体中实际质点（原子、离子或分子）的具体排列情况。自然界存在的固态物质可分为晶体和非晶体两大类，固态的金属与合金大都是晶体。晶体与非晶体的最本质差别在于组成晶体的原子、离子、分子等质点是规则排列的（长程序），而非晶体中这些质点除与其最相近外，基本上无规则地堆积在一起（短程序）。金属及合金在大多数情况下都以结晶状态使用。晶体结构是决定固态金属的物理、化学和力学性能的基本因素之一。

为了探究三氧化钨晶体结构，我们严格按照化学计量比的三氧化钨的晶体结构满足畸变的钙钛矿结构进行试验，即在ABO3型式的钙钛矿结构中加入A阳离子。试验发现，A阳离子出现缺位；并且氧原子构成正八面体，一个钨原子位于这个正八面体的中央。

另外，从实验里，我们还发现所有单一晶相的三氧化钨都可以看成八面体结构，只是在一定结构上发生了结构的扭曲。由于三氧化钨存在不同程度的氧缺位，其化学计量也因此变得比较复杂，所以三氧化钨的化学式通常写为WO_3-X的型式。随着氧空位数量的增加，它们在WO_3-X晶体内的分布也变得有序起来，形成所谓的切边面。当X＜0.02时，这些切变面是无规则分布的；当X≥0.02时，切变面则呈现相互平行排列的趋势，随着还原程度的不断增加，切边面排列的有序程度也不断增加。这些具有不同晶体结构和空位的化合物，使得三氧化钨具有了多种性能，其具有的光催化活性也不一样。

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采用溅射靶材为高纯金属钨（99.9%），直径为100mm，选用ITO玻璃和单晶硅片作为基底，靶与基底的距离为60mm，溅射气体为AR和O₂，分别通过质量流量计控制引入沉积室，本底真空为-3000Pa，通过溅射工艺参数（气压、组成、功率、基底温度时间等）的合理选择沉积相应结构的非晶和多晶氧化钨薄膜。采用电化学循环伏安法测试薄膜的电化学稳定性能，选用X射线衍射。散射光谱等手段分析沉积薄膜的组成和结构，薄膜的红外反射性能由分光光度计测定。

采用直流反应溅射工艺制备具有良好的电化学循环稳定性的多晶三氧化钨薄膜。实验发现，随着锂离子和电子的共同注入，多晶薄膜中的W6⁺逐渐被还原为W5⁺，红外反射测试表明电子注入薄膜后，成为自由载流子，使得薄膜表现出一定的金属性，具有一定的红外反射调制性能。采用工艺制备的三氧化钨结构的发射率在0.261~0.589的范围内可逆调节。

由图可得，基底不加热时，沉积薄膜仅发现基底单晶硅的衍射峰，薄膜整体表现为无定型结构；基底温度达到350℃时，薄膜呈现出一定的结晶倾向，在衍射角附近出现属于结晶三氧化钨的特征衍射峰；其他衍射峰的相对较弱。硅基底的衍射峰仍较明显，可认为该条件下沉积的氧化钨薄膜取向生长极为明显，结构不完整，主要由取向生长的多晶和非晶氧化钨共同组成；进一步提高基底温度晶态氧化钨的衍射强度增大，结晶趋于完整，硅基底衍射峰强度相对大大降低，但薄膜飞电化学性能变差。

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最早制备丙烯酸的方法有莱伯尔合成法，即利用镍催化剂使乙炔、一氧化碳、水反应的方法；水解丙烯腈法。而现今被广泛应用的一种方法是气相氧化丙烯法，该方法以源自石油的丙烯为原料。随着地球气候变暖和地下资源的枯竭的加剧恶化，控制大气中的CO₂浓度变得非常必要，从而不依赖石油得到丙烯酸制备方法变得很有研究意义。

文章提出一种生物界存在的油脂制得的甘油为原料而制备丙烯酸的方法，该方法以仲钨酸铵（APT）作为催化剂。其原理为：以甘油为原料，进行气化使其变成气态，在催化剂—APT存在下使气体发生气相反应，并对生成的气态反应物进行气相氧化反应，进而制得丙烯酸。

其中，原料甘油可以是纯度100％的甘油；或者甘油水(俗称“甜水”)，即甘油与水的混合物。甘油或甘油水可在水解各种油脂、制造肥皂的废液等被回收，因其而具有工业来源广泛、成本低廉等优势。值得注意的是，应选用水含量低于50%的甘油水为原料，因为，如果水含量超过50%，所耗费的能力将非常高，从而增加能耗成本；而且，排水也需要大量费用。

另外，在脱水反应中，为了抑制由高浓度气体引起的失控反应，可以向气化原料而形成的气体中添加惰性气体（如氮气、二氧化碳气体、稀有气体、水蒸汽等），并保持器在反应器内流通。

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在传统燃烧废气脱硝的进程中，氨(NH3)作为氮氧化物(NOx)分解为氮气(N)和水蒸气(H₂0)的还原剂。在这种脱硝反应中，脱硝催化剂将被广泛应用，用于同时提高反应的速率、效率。而为了提高NOx的分解率，提高NH₃/NOx摩尔比是一种过去普遍的应用方式。然而，当NH₃/NOx摩尔比过度增加时，未反应的氨将混入废气中，被直接排放到大气中，由此引起二次污染。

废气净化催化剂采用独特的涂层材料，以贵金属为活性组分制得，广泛应用于化工、制药和城市污水站下水道等产生的有机废气净化和脱臭处理，特别是含氮氧化物（NOx）的去除。本文提供一种废气净化催化剂的制备方法，其具体步骤如下所示：

1.取适量偏钛酸浆料，加入氨水，充分反应，制得料浆；
2.将预定量的仲钨酸铵粉末加入到步骤1的料浆中，制得混合物；
3.混炼步骤2得到的混合物；
4.干燥并煅烧混炼的物质，获得催化剂粉末；
5.调节孔隙体积为0.25~0.40g/cc；将催化剂粉末和成形助剂（有必要的话）放入混炼机中，将所得到的混合物与足够量的水一起混炼；挤出成型、干燥、煅烧，制得所需的多孔废气净化催化剂。

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