本发明提供一种用熔盐电解技术制取细钨粉的方法。具体步骤如下：

１）电解质成份 按重量计份基本电解质ＮａＣｌ ２０－８０份ＫＣｌ 补充至１００份；按前述比例所得ＮａＣｌ、ＫＣｌ混合物 ５０－８５份Ｎａ₂ＷＯ₄ ８－４０份ＷＯ₃ ３－８份ＬｉＣｌ ０－４０份ＣａＣｌ₂ ０－１０份ＭｇＣｌ₂ ０－１０份;

２）电解温度根据电解质成份的变化，采取相适应的温度，其温度范围为５６０－７５０℃;

３）阴极电流 密度阴极电流密度为０．１５－１．２Ａ／ｃｍ²；

４）阴极材料阴极材料可选取为铁质、铁基合金、金属钨、金属钨合金，除碳质以外的具有导电性能的复合材料之任何一种；

５）阳极材料阳极材料可选取碳质材料和惰性金属材料之一种 。

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本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为介绍一种掺钨二氧化锡（ＳｎＯ2：Ｗ）多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜。其特征在于：

本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在温度为室温的石英玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积（ＰＰＤ）技术，在适当的靶材成分、沉积压强、脉冲电流、脉冲电压以及后热处理技术下制备获得具有多晶结构的ＳｎＯ2：Ｗ薄膜。

所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围（４００－７００ｎｍ）高透射率、以及近红外范围（７００－２５００ｎｍ）高透射率等优良的光学和电学特性。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器、特别是近红外传感器以及太阳能电池等领域具有良好的应用前景。

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本发明提供一种利用白钨矿粉生产钨酸的方法。具体步骤如下：

1）调配料浆：首先将白钨矿矿粉、盐酸和水加入料浆制备槽内，混合搅拌，在常温或加热至４０～５０℃条件下，将料浆比重调至１．１５～１．３０，酸值调到１１０～１３０ｇ／Ｌ；

2）电化学分 解处理：将调配好的料浆输入电化学反应槽后，即向电极通入２～６Ｖ、体积电流密度为３００～１０００Ａ／ｍ3的直流电，在搅拌条件下对料液分解处理１～２小时，至最终酸值达２０～４０ｇ／Ｌ，得含Ｈ2ＷＯ4及ＣａＣｌ2的混合料液；

3）洗涤过滤：将由Ｂ制得的混合料液输入过滤器，并通入热水洗涤、过滤，即得固体钨酸产品。

该发明由于在传统酸分解法的基础上，增加通入直流电、在低温条件下对矿粉进行电化学处理工序，大大提高了白钨矿分解的效率，降低盐酸耗量一半以上，降低生产成本５０％，提高生产率１／３左右。因而具有盐酸耗量低，可在较低甚至常温下进行反应，既避免盐酸挥发而污染空气，又大大降低了废水处理的工作量和处理费用；对环境污染小并可有效提高生产率、降低生产成本等特点。从而克服了常规酸分解法需加入过量的盐酸并在高温状态下反应，既污染空气，废液酸值又高，其处理工作量大，生产率低、生产成本较高等弊病。

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本发明介绍一种表面包覆金属铜的超细钼粉或超细钨粉。其特征在于：

１）包覆前的超细钼粉或超细钨粉平均粒径Ｄ50不大于１．３μｍ；

２）铜包覆层平均厚度不大于３００ｎｍ；　

３）表面铜包覆率不低于５０％。

可以按实际需要的钨铜、钼铜比例，与铜粉机械混合均匀，等静压成型，烧结时由于铜包覆的超细钨粉、超细钼粉表面可以被金属铜均匀浸润，可以制备结构致密、组织均匀的钼铜、钨铜材料，满足热沉材料、电真空材料的要求。

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本发明介绍一种铁钨钼钴高合金材料。其特征在于：

采用钨、钼、钴源，源成分为钴（３７－４５％），钨（２８－３５％），钼（２５－３５％），利用双层辉光离子渗金属技术或其它表面冶金技术在低碳钢、工业纯铁、高碳钢或低合金钢基材表面形成铁、钨、钴，铁、钼、钴或铁、钨、钼、钴高合金层的一种合金。

其表面合金表层的成分范围是钴（１８～３０％），钨（９～２０％），钼（５～１５％）其余铁；

铁、钨、钼、钴型表面时效硬化合金渗金属、固溶、时效之后表层组织分别为合金铁素体和分布于基体上的金属间化合物、低碳合金马氏体和残留的少量奥氏体和部分未溶金属间化合物、回火马氏体和大量析出的细小金属间化合物和原先未溶金属间化合物，内层组织因所选基材不同而不同。

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本发明提供一种适用于火焰喷涂的钴结合的碳化钨粉末的制造方法。其特征在于：

1）制备基本上由颗粒度为－５微米的第一碳化钨粉末、颗粒度为－４４＋１０微米的第二碳钨粉末、颗粒度为－５微米的钴粉末和颗粒度为－１微米的碳粉末构成的混合物；

2）所述混合物的比例为约１０％至３０％第一碳化钨、４０％至８０％第二碳化钨、８％至２５％钴和０．５至３％碳（总共１００％，以重量计），和通过压缩所述混合物以产生一种压缩产物、烧结所述压缩产物以产生一种烧结产物、粉碎所述烧结产物以产生一种粉碎产物、以及分粒所述粉碎产物以产生钴结合的碳化钨粉末，来对混合物进行处理。

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本发明提供一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法。具体步骤如下：

１）清洗基片；

２）将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中，将铂丝放在电阻式加热源上，并将清洁的基片固定在样品架上；

３）用电子束加热使三氧化 钨升华并沉积在基片上。真空镀膜机真空室压力为１０-2~１０-3Ｐａ，真空室温度约２００－３００℃，电子束流０．１－０．２ｍＡ；

４）通过电阻加热蒸镀一层铂催化层。真空室压力５－６．５×１０-3Ｐａ，真空室温度为２００－ ３００℃，阻蒸电流在１２０－２４５Ａ之间。

本发明具有成本低，方法简单，薄膜质量好，均匀，变色响时间短等优点。

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本发明介绍一种钨/铜梯度材料。其特征在于：

1）材料设计：Ｗ/Ｃｕ梯度材料的两端分别是Ｗ及Ｃｕ合金，梯度层中Ｗ的体积分布按公式Ｃ＝（ｘ／ｄ）p计算，其中：Ｃ是任意梯度层中Ｗ的体积百分数，ｘ是相应梯度层的位置，ｄ为梯度层厚度，ｐ是成分分布指数，ｐ值范围为０．６－１．８；

2）金属Ｗ层的厚度为１－４ｍｍ，金属Ｃｕ的厚度为１－２ｍｍ；

3）中间过渡层的层数为１－８层；为了提高Ｗ－Ｃｕ间的结合强度，在金属铜中加入５－１０重量百分比的相粘结剂，这些粘接剂是Ｎｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｔｉ和Ｃｒ。

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本发明涉介绍一种碳化钨－钢梯度耐磨材料。

其可以通过高能离子向钢中注渗碳化钨（ＷＣ）形成梯度耐磨材料。

目前市场上高铬耐磨钢、铸石、堆焊ＷＣ等耐磨材料均存在使用寿命短，硬度、强度、韧性不兼备的缺点。

本发明通过辉光放电原理，在碳钢或合金钢表层形成ＷＣ，ＷＣ硬化层≥０．８ｍｍ，其中ＷＣ富集层超过０．３ｍｍ。碳化钨－钢梯度耐磨材料抗磨性能通常为淬硬合金工具钢４～１５倍，且具有高硬、高强、高韧等综合性能，满足许多抗磨工况的技术要求。

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本发明提供一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法。具体步骤如下：

1）使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；

2）将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；3

3）使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；

4）将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；

5）重复上述1）至4）步骤至少一次，形成循环周期；

6）在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤（ｃ）和（ｄ）至少一次。

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