钡钨电极是一种高强度气体放电灯电极材料。它是为了改变纯钨电极低发射电子能力，增加电子发生和电子电流密度，改善气体放电灯起辉速度，降低电极工作温度而制备而成的。它具有高的电子发射能力，低的逸出功，高的电子发射电子电流密度，良好的气体放电灯起辉速度，低的电极工作温度等优良特性。另外，该电极还是一种无放射性毒害，且具有抗中毒能力的电极。

由于钡钨电极具有以上优良特性常被应用于光电子产品、航标标识、目标跟踪、舞台及舞厅效果显示、影视放映摄录、激光汞浦、医疗定位治疗光源及军事武器等领域。例如，因其具有低的逸出功（φ=1.6 ev），电流密度大（10A/cm2），启动性能优良，能量输出大等特点，被广泛应用于HID灯中。另外，钡钨电极具有低的逸出功能，所以常被制成电真空及激光器件，其中电光源产品的电子发射性能可达到从低到高的重复频率（1~40次/秒）。使用钡钨电极制备而成的频闪灯，其启动性能得到明显的提高，可以在低于市供电压（220V）的10%时正常使用。另外，由于该电极发生电流密度大，使得频闪灯的亮度增加15%左右。同时，钡钨电极制备的高频频闪灯的使用寿命长，可达500万次以上，且在使用中不会出现漏闪、连闪。

钡钨电极的形状可以根据用户的要求制作，其发射面可以制备形成端面圆弧型，圆锥形，平面等多种形状。

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催化剂的使用寿命在3年左右，因此催化剂的更换频率，直接影响整个脱硝系统的运行成本。随着SCR工艺的广泛应用，废弃催化剂的数量将越来越多，若不及时处理，将造成占用土地资源、增加企业成本、污染环境等不良后果。开展废催化剂的回收利用既可以变废为宝，化害为益，解决潜在的环境污染问题，进而带来可观的经济效益和社会效益。本文将介绍一种从SCR催化剂中回收仲钨酸铵的方法，其具体步骤如下：



1.使用筛分或吹扫方法去除废弃SCR催化剂表面的粉尘，再水洗或超声波对粉尘做深层处理；
2.处理后的SCR催化剂进行破碎，磨料至粒度小于0.074mm占总质量的60% ；
3.处理后的粉料置于酸浸槽进行酸浸提钒，按液固比2-5:I添加盐酸或硫酸，浸出l-6h，并以亚硫酸钠为还原剂，将废催化剂中钒转入溶液中，最后过滤分离得到含钒溶液和浸出渣；
4.浸出渣用水洗涤至接近中性，加入碳酸钠混匀后于制粒机中造球，随后将得到的球粒置于马弗炉中进行焙烧，焙烧温度为500-850°C，焙烧时间为2-6h，得到焙烧料；
5.将焙烧料经磨细后按液固比2-5: I水浸，于70-90°C 下浸出3-6h，得到浸出液；
6.用酸调节浸出液的pH值至6-9，然后用D301或D314弱碱性阴离子吸附钨，再将负载的树脂用氨水和氯化铵混合溶液解析，得到解析液；
7.将解析液加热并至沸腾挥发溶液中的氨，直至氨溶液pH值降至7.0〜7.7，停止加热，冷却得到湿仲钨酸铵，最后在90〜120°C下干燥得到产品仲钨酸铵。

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从传统的粉末冶金工艺中粉末注射成型的技术得到启示，钨铜复合粉末注射成型技术是在注射钨骨架的基础上形成的，这种方法打破了常规熔渗法所生产的钨铜复合材料的局限性。金属注射成型技术（Metal Injection Molding，MIM）是一种适合于生产制造各种形状复杂或不规则的制品工艺，最先是由塑料注射成型行业中引申出来的。近年来，通过大幅度提高固体粒子的含量并在烧结过程中完全除去粘结剂使型坯致密化，从而得到高强度、耐磨耐蚀性良好的金属制品。其基本工艺步骤是选取符合金属注射成型基本要求（包括粉末形状、粒度及其组成、比表面等）的金属粉末以及相应的粘结剂（是MIM技术的核心，具有增强流动性以及维持坯块形状的功能），在一定的温度下采用适当的方法将粉末与粘结剂均匀混合喂料，制粒后进行注射成型，所获得的成型坯经过脱脂处理后烧结致密化称为成品。

而钨铜复合材料因其高强度、高密度、高熔点、良好的化学稳定性以及导电导热性是一种良好的热沉材料，起不仅仅在一些航空军工领域和电极电触头方面有着广泛的运用，在一些对气密性要求较高的电子封装材料中也是一种很好的选择。封装材料的主要功能包括机械支撑、信号传递、散热、密封、保护产品等，所以要求材料具有一定的机械强度、良好的导电导热能力、化学稳定性、与产品材料的线膨胀系数相匹配、便于生产等。传统基材已经难以满足不断上升的电路工作温度以及保证长时间的稳态运行，这会在一定程度上影响电子元件的可靠性。因此，钨铜材料在微电子封装领域越来越受到人们的重视，而封装材料因电子元器件尺寸较小，结构复杂等原因，难以通过常规的烧结压制的工艺方法进行大批量生产，这就使得钨铜粉末注射成型技术得到了进一步的发展。

有相关研究人员将含铜质量分数分别为10%-20%的三种钨铜材料进行粉末注射成型，经烧结熔渗后所获得的致密、细晶的钨铜复合材料，致密度都达到了99%以上，横向断裂强度达到了1500MPa。有学者也做了钨铜W-30Cu纳米复合粉末T型模的注射成型参数，及成型后脱粘结剂的过程，得到了表面质量良好、形状规整的型坯、粘结剂脱出率达到了99%以上，通过直接烧结的方式可得到相对密度高于96%的钨铜复合材料部件。但是，该工艺会由于钨（W）粉末装载量的不同或者在混料过程中吸入空气并聚集导致材料处于应力状态，一定量的缺陷如大的不规则形状裂纹或孔洞在脱脂的过程中产生，容易导致熔渗中铜池和闭孔隙形成。

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具体步骤如下：
1.配制前驱液
将适量的APT溶解于二次去离子水中，再加入一定量的分散剂和改性剂，磁力搅拌器持续搅拌3-5小时，再恒温70-90℃水浴环境中静置，得到前驱液；
2.镀膜
采用浸渍提拉法或旋涂法在待涂敷的基底上镀膜，并在一定温度条 件下干化。待镀膜的基底应先进行清洗等预处理；
3.焙烧
将基底镀膜干燥后，放置于可程序控温的马弗炉高温焙烧，焙烧温度350-600℃，热处理2-5小时，最终得到纳米三氧化钨薄膜。

其明显优势在于：
1.采用水溶性多聚钨酸盐为前驱体，通过加入分散剂和改性剂，最终的三氧化钨薄膜与基底牢固性很好，不会出现脱落现象；
2.前驱液保存3 个月以上，不会产生凝聚沉淀现象，仍然保持稳定状态，可以重复利用，不仅操作简便，也大大降低了制备成本；
3.往前驱液加入的分散剂和改性剂完全是有机物，高温容易氧化去除，没有引入除W以外的金属元素，特别是碱金属元素（Na+，K+)，不影响W0₃的光催化活性和光电转化性能；
4.制备出的三氧化钨薄膜具有良好的光电性能：在60mW/cm₂光强的汞灯条件下，1.5V的偏压下达3. 9mA/ cm₂的电流密度，光电性能是比以钨粉溶于双氧水工艺制备W0₃高2-3倍。

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