三氧化钨（WO₃）气敏材料由于对NO_x、NH₃等气体灵敏度高、响应时间和恢复时间短、易于测量与控制、价格低廉等优点而被认为是最具应用前景和发展前途的气敏材料之一。然而，纯WO₃气敏传感器存在着工作温度高（250°C左右）的缺点，增加了传感系统集成化、微小型化的复杂性和不稳定性，为此降低WO₃气敏传感器的工作温度成为了研究重点。

 

为此，多孔硅引起了研究员的关注，其表面通过腐蚀形成的具有大比表面积的多孔性疏松结构，具有很高的化学活性，对氨气具有敏感特性，是一种很有潜力的新型室温气敏材料。但是，多孔硅存在灵敏度略低、反应速度慢、恢复时间长等缺点。为此，有研究指出一种多孔硅基底WO₃纳米薄膜气敏传感器，是一种具有较高灵敏度的新型室温气敏传感器，综合了多孔硅和WO₃的优势，两者相辅相成，具有工作温度低（室温）、灵敏度高的特点。

 

多孔硅基底WO₃纳米薄膜气敏传感器的制备步骤如下：

1. 采用双槽电化学腐蚀法在单面抛光的ρ+单晶硅片表面制备多孔硅层基底；

2. 将多孔硅层基底置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，以纯钨为靶材进行磁控溅射，制备多孔硅基底WO₃纳米薄膜；

3. 将制得的多孔硅基底WO₃纳米薄膜置于400～600℃高温加热炉内进行退火处理；

4. 再进行镀电极，制得多孔硅基底WO₃纳米薄膜气敏传感器。