WO3/Cd2SnO4复合光催化剂
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年8月31日 星期三 14:23
- 作者:chunyan
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研究指明,三氧化钨(WO3)与Cd2SnO4都属于半导体材料可以作为光催化剂,Cd2SnO4具有较高的导电率,且能隙较窄(<3eV);而WO3是具有特殊N型结构的过渡金属半导体,具有很高的价带电位(0.5eV) 和合适的禁带宽度(2.7eV)。然而,由于两者单独作为光催化剂的光催化析氧活性都比较低,而半导体复合是提高光催化反应效率有效手段,可以使光生载流子在不同能级半导体之间转移,能有效提高量子效率,因而考虑WO3与Cd2SnO4的复合。实验用锡酸钠、乙酸镉和钨酸钠等为原料,浸渍法制得WO3/Cd2SnO4复合光催化剂具有较高光催化析氧活性,达到200μmol/(g•h)。
WO3/Cd2SnO4复合光催化剂的制备流程如下:
1. 按照一定摩尔比将一定量的锡酸钠和乙酸镉溶于水中充分混合,加入适量氢氧化钠溶液,使未反应完全的Cd2+全部转变为Cd(OH)2沉淀;
2. 过滤沉淀物并反复水洗,移置马弗炉内于1000℃煅烧并保温3小时, 制得CdO/Cd2SnO4粉体,再用一定量的稀盐酸溶去CdO得到纯Cd2SnO4;
3. 将一定量的钨酸钠溶入水中,加入少量盐酸,形成钨酸溶胶,再采用浸渍法将钨酸吸附在Cd2SnO4颗粒表面,过滤后形成钨酸与Cd2SnO4复合粉体,再经600℃焙烧得到WO3/Cd2SnO4光催化剂复合粉体。
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