偏钨酸铵制备空心介孔WO3球
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年8月29日 星期一 11:31
- 作者:chunyan
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三氧化钨(WO3)的禁带宽度为2.8eV,并且通过掺杂和表面修饰,其禁带宽度还可以进一步降低,使其禁带上的电子在可见光照射下就可以激发而跃迁到导带上,从而具有光催化性能。因而,在制备过程中控制WO3颗粒的大小、形貌是研究工作者关注的重点方向,由偏钨酸铵(AMT)为原料制备的空心介孔WO3球是其研究成果之一。因为由量子效应引起的导带电子与价带空穴的能级移动,使得WO3的还原性和氧化性增大;三氧化钨的粒径变小,光生电子与空穴对将很快达到三氧化钨表面并且发生反应,有效减小光生电子与空穴的复合几率;粒径变小的同时,比表面积增大,增加了吸附点,有效促进了光催化反应。

采用偏钨酸铵为原料制备空心介孔WO3球的原理:空心的AMT球在热处理过程中由于位向不一致,各亚晶沿着晶向择优生长,亚晶形成狭长颗粒,从而在空心球表面形成了介孔。其步骤如下:
1. 选取WO3含量为85.0~89.0wt%(无需进一步纯化)的偏钨酸铵20g为原料,溶于去离子水中,制成浓度为20g./L的偏钨酸铵溶液;
2. 采用喷雾干燥器喷雾干燥,首先得到中空偏钨酸铵球;
3. 将中空偏钨酸铵球移入高温管式炉中进行热处理,其升温速率为5°C/min,升温至700°C,保温2小时,得到空心介孔WO3球。
研究指明,空心介孔WO3球具有良好的光催化性能,在以甲基蓝溶液为有机污染物试样的实验中发现,15分钟内WO3对甲基蓝的光降解率达到65.9%。
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