三氧化钨是一种独特的n型半导体材料，这使它成为少数几种易于实现量子尺寸效应的氧化物半导体之一，在光催化、电致变色、光致变色、气致变色等方面表现出良好的特性，因而广泛应用于化学传感器、燃料电池、光催化剂等领域。三氧化钨具有正交、单斜、立方、六方等晶型结构。六方相三氧化钨因为具有特殊的六方通道而备受关注，很多金属离子可以嵌入到此六方通道中，从而形成六方相钨青铜，在负极材料和可充电锂离子电池中表现出巨大的应用前景。
 

三氧化钨晶体的结构是ReO₃型，是ABO₃型钙钛矿结构中的A位阳离子缺位结果，6个氧原子构成正八面体，W位于其中，相邻的WO₆正八面体通过顶角氧原子联结形成晶体。六方相三氧化钨具有层状结构，每一层八面体定点连接，形成六元环，在其晶轴方向会形成一维六方的通道。另外，相邻的六元环互相之间构成三角形，也会形成一维三方通道。有学者认为六方相结构中的六方通道与三方通道可以容纳阳离子，相互之间存在化学作用或者吸附作用，不同的阳离子之间可以互相置换。
 

六方相三氧化钨是一种亚稳态晶相，其制备过程一般要求温和，可以由钨酸钠和盐酸为原料，以草酸钾和硫酸钾分别作为添加剂，利用水热法合成。研究表明，不同温度下，三氧化钨的各种晶型可以互相转换，当煅烧温度为200°C时，产物为斜方三氧化钨；当温度升至300°C时，开始出现六方相三氧化钨特征峰；当温度达到450°C时，六方相三氧化钨的特征峰完全消失。因此，可以得出结论，六方相三氧化钨的稳定存在区间为200°C~450°C。