在相同工艺条件下，纳米前驱体wO3陶瓷的介电常数要比微米基WO3陶瓷提高一个量级，而空气气氛烧结又可以将其介电常数提高一个量级。多晶WO3陶瓷与其它的压敏电阻(ZnO，Ti02等)一样，它的非线性电学性质也可以用肖特基势垒模型来解释。WO3晶粒由于氧缺位的存在，表现为n型半导体行为。

 

王豫等经过大量的实验研究认为WO3的非线性电学特性的出现与其常温下两相共存有一定的关系，他们认为相共存会影响晶粒晶格的匹配，使晶粒具有不同的介电响应。在空气气氛下烧结的样品为单斜和三斜两相共存结构，具有非线性的伏安特性曲线，而氢气气氛烧结的样品中只有单斜相结构，其伏安特性为线性，也在一定程度上证明了他们的猜想，常温下的WO3陶瓷的相共存问题导致了其肖特基势垒的产生，从而使WO3陶瓷具有了非线性伏安特性。

 

利用双重掺杂的方法，用ZnO 和TiO2 掺杂WO3基陶瓷制成不同摩尔比例的样品.根据X 射线衍射图谱，利用Jade5 分析出每一种掺杂均又第二相的生成，且随着掺杂浓度的不同第二相的物质会发生转变。摩尔比例为0.5%和1.0%浓度的掺杂产生的第二相为Zn0.3 WO3 ，随着掺杂量的加大，第二相的物质发生转变，成为了Zn0.3 WO3 以及Zn0.06 WO3 共存相，到了5.0%（摩尔分数）第二相完全转变成为了Zn0.06 WO3 。由扫描电镜的SEM 图像能够晶粒大小看出先减小后增大。在300~1 000 K 的温度范围内测量掺杂陶瓷材料的热电性质.通过实验结果分析发现，电导率先减小再增大，2.0%（摩尔分数）掺杂的样品电导率最差。样品的塞贝克系数呈现负值，说明了掺杂并没有改变WO3 基陶瓷作为n 型热电材料的性质。塞贝克系数的绝对值是单调递增，对于2.0%和5.0%（摩尔分数）的样品的塞贝克系数来说，出现了低温区和高温区的差别。当掺杂浓度为0.5%（摩尔分数）时，功率因子最大，其值为0.052 μW/(m•K2 )。