制备碳纳米管三氧化钨薄膜

碳纳米管编织的三氧化钨薄膜及其制备方法和在太阳能电池中的应用，属于纳米材料制备技术领域。该复合薄膜由三氧化钨和穿插于其中的网状碳纳米管薄膜组成。一方面，经碳纳米管编织后三氧化钨更加稳定，可实现三氧化钨直接转移，避免了传统三氧化钨转移过程中高分子的引入带来的残胶及三氧化钨破损；另一方面，碳纳米管编织的三氧化钨较单纯三氧化钨有更好的导电率，与硅形成的异质结太阳能电池具有更高的转换效率。

化学气相淀积[CVD(Chemical Vapor Deposition)]，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。目前制备钨涂层可采用物理或化学气相沉积方法，或者将气相沉积方法结合其他制备技术，提高钨涂层的性能。

采用有序或无序碳纳米管薄膜为模版，在有基底支撑或无基底存在的条件下，以有机金属化合物为钨源，通过化学气相沉积法，在低温下制备晶型、面积、取向度和膜厚可控的氧化钨碳纳米管薄膜。相对于传统材料，三氧化钨纳米管薄膜保持了碳纳米管原有的柔性和良好的透光性。

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