仲钨酸铵晶体的生长反应历程

仲钨酸铵晶体生长历程可由非基元反应和相变反应组成。

1.非基元反应：



与仲钨酸根B（H₂W₁₂O₄₂^10-）相比，形成仲钨酸根A（HW₆O₂^15-）是一个快速的过程，但是始终受到氨挥发的影响。而仲钨酸根A到仲钨酸根B即使在较高温度下长时间陈化也不能完全转变。

2.相变反应

首先，结晶介质以（NH₄）10H₂W₁₂O₄₂.4H₂O和H₂O等分子或离子形式向生长界面扩散。再是聚结在生长界面的结晶介质进入晶格座位发生表面反应。然后放出结晶热并向外输送。

仲钨酸铵晶体的粒度很小，晶液的粘度也很小，扩散对相变反应的影响不大。当达到某一较小的极限搅拌转速时，晶体生长速率不再与转速有关。由于扩散速率很高，结晶过程可转由表面反应控制。结晶热一般较小，对过程的影响可以忽略不计。


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