CVD钨管沉积速率的影响因素

CVD钨管沉积速率的影响因素主要有以下几点：

还原反应的速度；

还原反应：WF₆+ H₂ → W + 6HF (125Kj/mol)

沉积温度：500℃，600℃，700℃，800℃

随着沉积温度的升高，还原反应的速度加快，也就是说，W原子在单位时间内的产生量增大。

当沉积温度在700℃时，WF₆差不多已经完全消耗掉了。

当沉积温度在700℃-800℃时，CVD钨管沉积速率的变化趋势不是很明显。

WF₆和H₂ 以及 HF的扩散运动的速度；随着沉积温度的升高，WF₆、H₂ 和 HF的扩散速度加快趋势明显。

W原子沿着沉积表面的扩散运动的速度；随着沉积温度的升高，W原子的扩散速度明显加快。

结晶速度。

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